[發明專利]陣列基板

在審

• 申請號: 202110097489.9
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112951845A
• 公開（公告）日: 2021-06-11
• 發明（設計）人: 馬濤;許勇;溫旺林;艾飛
• 申請（專利權）人: 武漢華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L21/77
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 黃舒悅

一種陣列基板，包括襯底、設置于襯底上的第一金屬層和有源層、層間絕緣層以及第二金屬層，第一金屬層至少形成第一走線，層間絕緣層設置于第一金屬層和有源層中的遠離襯底的一者上，第二金屬層設置于層間絕緣層上，層間絕緣層上設有第一接觸孔，第二金屬層通過第一接觸孔與第一走線連接；其中，第一金屬層包括沿遠離襯底方向依次層疊的導電層和第一保護層。將第一金屬層的鉬材料替換為層疊的導電層和保護層的復合材料，既保證了第一金屬層在高溫下的導電性能以及抑制小丘產生的功能，也能避免保護層受到后制程中的氫氟酸腐蝕，進而提高低溫多晶硅制程的穩定性以及產品的品質。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板。

背景技術

LTPS TFT(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor，低溫多晶硅薄膜晶體管)產品的第一金屬層導線受限于后續高溫制程，目前業界量產產品大多使用鉬金屬，但鉬金屬的阻抗較高，而高分辨率、高頻率中大尺寸產品對低電阻金屬的需求較高，目前可找到耐高溫的金屬材料來替代鉬金屬制成第一金屬層的導線，例如轉接線，使得在高溫下也可保持低電阻，但這樣制得的第一金屬層在高溫下易產生小丘現象，導致毗鄰的連線或上下膜層之間的連線可能短接在一起。

現有技術中，一般是在耐高溫金屬上覆蓋鈦金屬來抑制小丘的產生，且取得很好的抑制效果，但鈦金屬不耐后制程中氫氟酸清洗液的腐蝕，影響LTPS制程的穩定性。

發明內容

本發明實施例提供一種陣列基板及其制備方法，以解決現有的陣列基板中，在具有耐高溫和低電阻性能的金屬材料上覆蓋鈦金屬，以抑制該金屬材料在高溫下產生小丘，但鈦金屬不耐氫氟酸清洗液的腐蝕，影響產品的品質的技術問題。

為解決上述問題，本發明提供的技術方案如下：

本發明實施例提供一種陣列基板，包括襯底、設置于所述襯底上的第一金屬層和有源層、層間絕緣層以及第二金屬層，所述第一金屬層至少形成第一走線，所述層間絕緣層設置于所述第一金屬層和所述有源層上，所述第二金屬層設置于所述層間絕緣層上，所述層間絕緣層上設有第一接觸孔，所述第二金屬層通過所述第一接觸孔與所述第一走線連接；其中，所述第一金屬層包括沿遠離所述襯底方向依次層疊的導電層和第一保護層。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一保護層的熱膨脹系數小于所述導電層的熱膨脹系數。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一保護層的熱膨脹系數小于或等于1.7×10^－6K^－1。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一保護層的莫氏硬度大于或等于5.5。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一保護層的材料為Mo、MoNb、TiN、MoN、W以及Ni-Cu中的任意一種。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一保護層的厚度為200～1000埃。

在本發明的至少一種實施例中，所述導電層的厚度為1000～6000埃。

在本發明的至少一種實施例中，所述第一金屬層還包括設置于所述導電層面向所述襯底一側的第二保護層。

在本發明的至少一種實施例中，所述陣列基板包括顯示區域和圍繞所述顯示區域的非顯示區域，所述第一走線位于所述非顯示區域或所述顯示區域。

在本發明的至少一種實施例中，所述第二金屬層至少形成第二走線，所述第二走線通過所述第一接觸孔與所述第一走線連接。

本發明的有益效果為：將第一金屬層的鉬材料替換為層疊的導電層和保護層的復合材料，既保證了第一金屬層在高溫下的導電性能，也能抑制小丘現象產生，另外，本發明實施例提供的制備方法也能避免保護層受到后制程中的氫氟酸腐蝕，進而提高低溫多晶硅制程的穩定性以及產品的品質。

附圖說明