[發明專利]陣列基板在審
| 申請號: | 202110097489.9 | 申請日: | 2021-01-25 |
| 公開(公告)號: | CN112951845A | 公開(公告)日: | 2021-06-11 |
| 發明(設計)人: | 馬濤;許勇;溫旺林;艾飛 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570 | 代理人: | 黃舒悅 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
襯底;
第一金屬層,設置于所述襯底上,所述第一金屬層至少形成第一走線;
有源層,設置于所述襯底上;
層間絕緣層,設置于所述第一金屬層和所述有源層上;以及
第二金屬層,設置于所述層間絕緣層上,所述層間絕緣層上設有第一接觸孔,所述第二金屬層通過所述第一接觸孔與所述第一走線連接;其中,
所述第一金屬層包括沿遠離所述襯底方向依次層疊的導電層和第一保護層。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一保護層的熱膨脹系數小于所述導電層的熱膨脹系數。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一保護層的熱膨脹系數小于或等于1.7×10-6K-1。
4.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述第一保護層的莫氏硬度大于或等于5.5。
5.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一保護層的材料為Mo、MoNb、TiN、MoN、W以及Ni-Cu中的任意一種。
6.根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一保護層的厚度為200~1000埃。
7.根據權利要求6所述的陣列基板,其特征在于,所述導電層的厚度為1000~6000埃。
8.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一金屬層還包括設置于所述導電層面向所述襯底一側的第二保護層。
9.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括顯示區域和圍繞所述顯示區域的非顯示區域,所述第一走線位于所述非顯示區域或所述顯示區域。
10.根據權利要求9所述的陣列基板,其特征在于,所述第二金屬層至少形成第二走線,所述第二走線通過所述第一接觸孔與所述第一走線連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





