[發明專利]一種芯片和傳輸線間漸變金帶互聯結構及其裝配方法

有效

• 申請號: 202110097415.5
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN113161312B
• 公開（公告）日: 2023-07-18
• 發明（設計）人: 齊登鋼;潘濤;趙超穎;王蕤;解啟林
• 申請（專利權）人: 博微太赫茲信息科技有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/49;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 合肥昊晟德專利代理事務所(普通合伙) 34153
• 代理人: 王林

本發明公開了一種芯片和傳輸線間漸變金帶互聯結構及其裝配方法，屬于芯片與傳輸線互聯技術領域，包括漸變金帶、傳輸線、芯片，所述漸變金帶包括依次設置的金帶窄邊、金帶寬邊、金帶漸變體，所述金帶窄邊、所述金帶寬邊、所述金帶漸變體為一體構件，所述金帶寬邊與所述傳輸線連接，所述金帶窄邊與所述芯片連接。本發明采用的漸變金帶結構簡單，方便加工制造，配合傳輸線上的T型結結構，可以有效地降低插入損耗，提高傳輸效率，最大程度地發揮裸片的性能，值得被推廣使用。

技術領域

本發明涉及芯片與傳輸線互聯技術領域，具體涉及一種芯片和傳輸線間漸變金帶互聯結構及其裝配方法。

背景技術

近年來毫米波太赫茲技術在安檢安防、無損檢測等領域的應用越來越廣泛，毫米波太赫茲頻段器件比如功放模塊、低噪聲放大器模塊等的研究得到了快速發展。毫米波太赫茲器件的性能一方面受到毫米波太赫茲芯片性能的影響，另一方面受到封裝腔體中寄生參量及插入損耗的影響。

芯片與傳輸線間互聯插入損耗過大是限制毫米波太赫茲模塊性能的主要因素之一，工作頻率越高，互聯工藝插入損耗的影響越大。在W波段及以下常用的互聯工藝是金絲鍵合工藝，隨著工作頻率不斷提高，當工作頻率上升到D波段、G波段乃至更高頻段以后，金絲鍵合工藝引入的插入損耗越來越大，即使加入傳輸線補償結構、減小互聯金絲長度或者減小互聯金絲拱高高度，效果也不理想。

目前，國內的毫米波太赫茲器件的工作頻段已經超過270GHz，迫切需要研究一種新的互聯工藝來取代金絲鍵合工藝，減小芯片與傳輸線間互聯造成的插入損耗，來滿足毫米波太赫茲器件工作頻率不斷提高的趨勢。為此，提出一種芯片和傳輸線間漸變金帶互聯結構。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于：如何解決毫米波太赫茲模塊中芯片焊盤與傳輸線間金絲鍵合互聯工藝插入損耗過大的問題，提供了一種芯片和傳輸線間漸變金帶互聯結構，其中的漸變金帶結構簡單，方便加工制造，配合傳輸線上的T型結結構，可有效提高傳輸效率，使器件輸入輸出端口的回波損耗優于17dB。

本發明是通過以下技術方案解決上述技術問題的，本發明包括漸變金帶、傳輸線、芯片，所述漸變金帶包括依次設置的金帶窄邊、金帶寬邊、金帶漸變體，所述金帶窄邊、所述金帶寬邊、所述金帶漸變體為一體構件，所述金帶寬邊與所述傳輸線連接，所述金帶窄邊與所述芯片連接。

更進一步地，所述芯片上設置有芯片焊盤，所述金帶窄邊與所述芯片焊盤互聯。

更進一步地，所述傳輸線與所述金帶寬邊之間設置有T型結，所述T型結為低阻抗線，所述金帶寬邊與所述T型結連接。

更進一步地，所述金帶窄邊的寬度小于或等于所述芯片焊盤的寬度。

更進一步地，所述金帶寬邊的長度小于所述T型結的長度。

更進一步地，所述金帶漸變體的寬邊邊緣與所述T型結的邊緣重合。

更進一步地，所述T型結的寬度大于所述傳輸線的寬度。

更進一步地，所述芯片為倍頻芯片、混頻芯片、功放芯片、低噪聲放大器芯片、開關芯片、移相器芯片中任一種。

更進一步地，所述傳輸線為復合介質材料基板傳輸線、石英基板傳輸線、陶瓷基板傳輸線、聚四氟乙烯基板傳輸線中任一種。

本發明還提供了一種芯片和傳輸線間漸變金帶互聯結構的裝配方法，用于對上述的漸變金帶互聯結構進行裝配，包括以下步驟：

S1：取一小段金帶，將金帶切割成漸變金帶的形狀；

S2：將步驟S1中的漸變金帶轉移到安裝位置，再將金帶窄邊壓接到芯片焊盤上，將金帶寬邊壓接到傳輸線上的T型結上。