[發明專利]一種利用蒸汽剝離技術制備單層Mxene納米片的方法

有效

• 申請號: 202110097387.7
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112850710B
• 公開（公告）日: 2022-04-05
• 發明（設計）人: 蘇忠;賴超;曲婕
• 申請（專利權）人: 江蘇師范大學
• 主分類號: C01B32/90
• 分類號: C01B32/90;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 北京淮海知識產權代理事務所(普通合伙) 32205
• 代理人: 李妮

1.一種利用蒸汽剝離技術制備單層Mxene納米片的方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）將經過刻蝕后的MAX相材料分散于帶有刻度的裝有一定量溶劑的容器中，得到混合液；MAX相材料與溶劑的質量比為1：（20~30）；溶劑為水、乙醇、乙醚、丙酮、二甲基亞砜、二甲基甲酰胺、四丁基氫氧化銨中的一種或多種；

（2）將混合液加熱至沸騰，在加熱過程中隨著溶劑的蒸發不斷向混合液中補加溶劑來維持溶劑在容器中的刻度不變，即在蒸發過程中維持溶劑的體積不變，沸騰保持1~2h后，停止加熱，冷卻至室溫后，再冷凍干燥得到單層Mxene納米片。

2.根據權利要求1所述的一種利用蒸汽剝離技術制備單層Mxene納米片的方法，其特征在于，MAX相材料中，M層包括Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Sc中的一種或幾種元素；A層為Al或Si元素；X層為C或N元素。

3.根據權利要求2所述的一種利用蒸汽剝離技術制備單層Mxene納米片的方法，其特征在于，MAX相材料為Ti₂AlC或Ti₃SiC₂。

4. 根據權利要求1或2所述的一種利用蒸汽剝離技術制備單層Mxene納米片的方法，其特征在于，該方法制備得到的單層Mxene納米片的厚度為1.5-100 nm。