[發(fā)明專利]成膜裝置和成膜方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110096134.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113293360A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤壽;石井亨;瀬下裕志;佐瀬雄一郎 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | C23C16/458 | 分類號(hào): | C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
本發(fā)明涉及成膜裝置和成膜方法。提供能夠形成高品質(zhì)的半導(dǎo)體膜的技術(shù)。本公開(kāi)的一技術(shù)方案的成膜裝置具有:旋轉(zhuǎn)臺(tái),其設(shè)于真空容器內(nèi);載置臺(tái),其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向設(shè)置,用于載置基板;處理區(qū)域,在該處理區(qū)域,朝向所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面供給處理氣體;熱處理區(qū)域,其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向與所述處理區(qū)域分離開(kāi)地配置,在該熱處理區(qū)域,以比所述處理區(qū)域的溫度高的溫度對(duì)所述基板進(jìn)行熱處理;以及冷卻區(qū)域,其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向與所述熱處理區(qū)域分離開(kāi)地配置,在該冷卻區(qū)域,冷卻所述基板。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開(kāi)涉及成膜裝置和成膜方法。
背景技術(shù)
公知有一種成膜裝置,該成膜裝置利用沿處理容器的周向以等間隔設(shè)置的分離部被劃分成4個(gè)處理區(qū)域,向兩個(gè)處理區(qū)域供給原料氣體,向剩余的兩個(gè)處理區(qū)域供給反應(yīng)氣體(例如,參照專利文獻(xiàn)1)。
專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2018-26528號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
本公開(kāi)提供一種能夠形成高品質(zhì)的半導(dǎo)體膜的技術(shù)。
本公開(kāi)的一技術(shù)方案的成膜裝置具有:旋轉(zhuǎn)臺(tái),其設(shè)于真空容器內(nèi);載置臺(tái),其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向設(shè)置,用于載置基板;處理區(qū)域,在該處理區(qū)域,朝向所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面供給處理氣體;熱處理區(qū)域,其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向與所述處理區(qū)域分離開(kāi)地配置,在該熱處理區(qū)域,以比所述處理區(qū)域的溫度高的溫度對(duì)所述基板進(jìn)行熱處理;以及冷卻區(qū)域,其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向與所述熱處理區(qū)域分離開(kāi)地配置,在該冷卻區(qū)域,冷卻所述基板。
根據(jù)本公開(kāi),能夠形成高品質(zhì)的半導(dǎo)體膜。
附圖說(shuō)明
圖1是表示一實(shí)施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)例的縱剖視圖。
圖2是用于說(shuō)明一實(shí)施方式的成膜裝置的四個(gè)區(qū)域的圖(1)。
圖3是用于說(shuō)明一實(shí)施方式的成膜裝置的四個(gè)區(qū)域的圖(2)。
圖4是一實(shí)施方式的成膜裝置的沿著周向的縱剖視圖。
圖5是用于說(shuō)明一實(shí)施方式的成膜裝置的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)的圖。
圖6是表示一實(shí)施方式的成膜裝置的另一結(jié)構(gòu)例的圖。
圖7是表示一實(shí)施方式的成膜裝置的動(dòng)作的一個(gè)例子的圖。
圖8是表示一實(shí)施方式的成膜裝置的又一結(jié)構(gòu)例的圖。
具體實(shí)施方式
以下,參照附圖說(shuō)明本公開(kāi)的非限定性的例示的實(shí)施方式。在添附的全部附圖中,對(duì)相同或?qū)?yīng)的構(gòu)件或部件標(biāo)注相同或?qū)?yīng)的參照附圖標(biāo)記,并省略重復(fù)的說(shuō)明。
〔成膜裝置〕
參照?qǐng)D1~圖5說(shuō)明成膜裝置的結(jié)構(gòu)例。圖1是表示一實(shí)施方式的成膜裝置的結(jié)構(gòu)例的縱剖視圖。
成膜裝置1包括扁平的真空容器10。真空容器10的底部在徑向上被分割成中央部12和包圍該中央部12的環(huán)狀部14。中央部12被支承于支承部16。支承部16貫穿真空容器10的頂部的中央部并從上方貫穿于真空容器10內(nèi)。環(huán)狀部14固定于真空容器10的側(cè)壁。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社,未經(jīng)東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110096134.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過(guò)氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過(guò)浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無(wú)機(jī)材料為特征的
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





