[發(fā)明專(zhuān)利]成膜裝置和成膜方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110096134.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113293360A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-08-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤壽;石井亨;瀬下裕志;佐瀬雄一郎 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C23C16/458 | 分類(lèi)號(hào): | C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝置 方法 | ||
1.一種成膜裝置,其中,
該成膜裝置具有:
旋轉(zhuǎn)臺(tái),其設(shè)于真空容器內(nèi);
載置臺(tái),其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向設(shè)置,用于載置基板;
處理區(qū)域,在該處理區(qū)域,朝向所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面供給處理氣體;
熱處理區(qū)域,其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向與所述處理區(qū)域分離開(kāi)地配置,在該熱處理區(qū)域,以比所述處理區(qū)域的溫度高的溫度對(duì)所述基板進(jìn)行熱處理;以及
冷卻區(qū)域,其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向與所述熱處理區(qū)域分離開(kāi)地配置,在該冷卻區(qū)域,冷卻所述基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置具有分離區(qū)域,該分離區(qū)域?qū)⑺鎏幚韰^(qū)域與所述熱處理區(qū)域之間分離、將所述熱處理區(qū)域與所述冷卻區(qū)域之間分離以及將所述冷卻區(qū)域與所述處理區(qū)域之間分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的成膜裝置,其中,
所述處理區(qū)域包括:
吸附區(qū)域,在該吸附區(qū)域,朝向所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的所述上表面供給原料氣體而使其吸附于所述基板;以及
反應(yīng)區(qū)域,其沿著所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的周向與所述吸附區(qū)域分離開(kāi)地配置,在該反應(yīng)區(qū)域,朝向所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的所述上表面供給反應(yīng)氣體而使吸附于所述基板的所述原料氣體反應(yīng)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置具有分離區(qū)域,該分離區(qū)域用于將所述吸附區(qū)域與所述反應(yīng)區(qū)域之間分離。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置具有旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu),該旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述載置臺(tái)相對(duì)于所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
在所述熱處理區(qū)域,在所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面的上方設(shè)有加熱單元,該加熱單元加熱載置于所述載置臺(tái)的所述基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
在所述熱處理區(qū)域設(shè)有等離子體生成部,該等離子體生成部對(duì)載置于所述載置臺(tái)的所述基板進(jìn)行等離子體處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
在所述冷卻區(qū)域,在所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的上表面的上方設(shè)有冷卻氣體供給部,該冷卻氣體供給部向載置于所述載置臺(tái)的所述基板供給冷卻氣體。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
在所述冷卻區(qū)域,在所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)的下表面的下方設(shè)有冷卻用板,該冷卻用板冷卻載置于所述載置臺(tái)的所述基板。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項(xiàng)所述的成膜裝置,其中,
該成膜裝置具有控制部,
所述控制部構(gòu)成為:通過(guò)使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)間歇旋轉(zhuǎn),從而以所述基板依次通過(guò)所述處理區(qū)域、所述熱處理區(qū)域以及所述冷卻區(qū)域的方式控制所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)。
11.一種成膜方法,其中,
該成膜方法通過(guò)在沿著設(shè)于真空容器內(nèi)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)的旋轉(zhuǎn)方向設(shè)置的多個(gè)載置臺(tái)分別載置基板,并使所述旋轉(zhuǎn)臺(tái)間歇旋轉(zhuǎn),從而執(zhí)行多次循環(huán),該循環(huán)包括以下工序:
朝向所述基板的上表面供給處理氣體;
以比供給所述處理氣體的工序的溫度高的溫度對(duì)供給了所述處理氣體的所述基板進(jìn)行熱處理;以及
冷卻進(jìn)行了熱處理的所述基板。
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