[發明專利]Mirco-LED陣列結構及Mirco-LED陣列

在審

• 申請號: 202110095827.5
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112786768A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 劉召軍;邱成峰;王浩;謝仕峰;張珂;吳濤
• 申請（專利權）人: 深圳市思坦科技有限公司
• 主分類號: H01L33/62
• 分類號: H01L33/62;H01L33/44;H01L33/38;H01L27/15
• 代理公司: 深圳中細軟知識產權代理有限公司 44528
• 代理人: 孫凱樂

本發明實施例公開了一種Mirco?LED陣列結構及Mirco?LED陣列。該結構自下而上依次包括：基底；生長在所述基底上的N型氮化鎵層；生長在所述N型氮化鎵層上的多量子阱層；生長所述多量子阱層上的P型氮化鎵層；生長所述P型氮化鎵層上的第一導電層；覆蓋所述N型氮化鎵層、多量子阱層、P型氮化鎵層和第一導電層的鈍化層，在所述第一導電層處形成第一通孔，所述第一導電層通過所述第一通孔形成基于所述鈍化層的第一凸起；生長在所述鈍化層和第一導電層上的第一金屬焊接層。本發明實施例實現了Micro?LED陣列結構的焊球位置穩定不移動。

技術領域

本發明涉及Mirco-LED技術領域，尤其涉及一種Mirco-LED陣列結構及Mirco-LED陣列。

背景技術

基于具有穩定性極高的寬禁帶半導體——GaN材料的Micro-LED陣列，其單顆像素尺寸往往在幾微米至幾十微米，具有很高的排列密度。這種陣列可用于對亮度要求較高的微型投影裝置、AR/VR、可穿戴設備和空間成像等，具有很高的商業應用價值和發展前景。

為了實現高密度Micro-LED陣列與基于CMOS工藝的驅動電路之間的互連封裝和最終的主動驅動，要求每個Micro-LED像素的電極都能與驅動電路對應的電極焊盤進行有效連接封裝。由于焊盤蒸鍍的厚度較薄(2到4微米)且形貌較差，內部組織不均勻，不利于芯片間的倒裝互連，因此需要進行進行回流處理，使焊盤縮聚成焊球，增大焊球凸點的高度和芯片間的封裝間隙，改善焊盤材料的浸潤性，從而提升后續倒裝鍵合的良率。

但是焊盤在回流成焊球的過程中，由于回流過程中氣流如氮氣、外部振動以及焊料與基板接觸材料張力等因素的影響，若沒有一定的結構對焊球的位置進行束縛，如圖1所示，會使焊球的位置發生一定的偏移。偏移位置過大，會造成倒裝鍵合后焊球凸點間的短路，即Micro-LED陣列結構的封裝失效。

發明內容

基于此，有必要針對上述問題，提出了一種Mirco-LED陣列結構及Mirco-LED陣列。

第一方面，本發明實施例提供一種Mirco-LED陣列結構，所述結構自下而上依次包括：

基底；

生長在所述基底上的N型氮化鎵層；

生長在所述N型氮化鎵層上的多量子阱層；

生長所述多量子阱層上的P型氮化鎵層；

生長所述P型氮化鎵層上的第一導電層；

覆蓋所述N型氮化鎵層、多量子阱層、P型氮化鎵層和第一導電層的鈍化層，在所述第一導電層處形成第一通孔，所述第一導電層通過所述第一通孔形成基于所述鈍化層的第一凸起；

生長在所述鈍化層和第一導電層上的第一金屬焊接層。

作為優選的，所述結構還包括：

生長在所述N型氮化鎵層上的第二導電層，所述鈍化層覆蓋所述第二導電層，所述鈍化層在所述第二導電層處形成第二通孔，所述第二導電層通過所述第二通孔形成基于所述鈍化層的第二凸起；

生長在所述鈍化層和第二導電層上的第二金屬焊接層。

作為優選的，所述第一導電層自下而上依次包括：

生長在所述P型氮化鎵層上的粘附層；

生長在所述粘附層上的導電層；

生長在所述導電層上的擴散阻擋層；

生長在所述擴散阻擋層上的浸潤層。

作為優選的，所述粘附層為鈦，所述導電層為鋁，所述擴散阻擋層為鈦，所述浸潤層為金。

作為優選的，所述結構還包括：