[發明專利]Mirco-LED陣列結構及Mirco-LED陣列在審
| 申請號： | 202110095827.5 | 申請日： | 2021-01-25 |
| 公開（公告）號： | CN112786768A | 公開（公告）日： | 2021-05-11 |
| 發明（設計）人： | 劉召軍;邱成峰;王浩;謝仕峰;張珂;吳濤 | 申請（專利權）人： | 深圳市思坦科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/62 | 分類號： | H01L33/62;H01L33/44;H01L33/38;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳中細軟知識產權代理有限公司 44528 | 代理人： | 孫凱樂 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市龍華區大浪街*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mirco led 陣列 結構 | ||
1.一種Mirco-LED陣列結構，其特征在于，所述結構自下而上依次包括：
基底；
生長在所述基底上的N型氮化鎵層；
生長在所述N型氮化鎵層上的多量子阱層；
生長所述多量子阱層上的P型氮化鎵層；
生長所述P型氮化鎵層上的第一導電層；
覆蓋所述N型氮化鎵層、多量子阱層、P型氮化鎵層和第一導電層的鈍化層，在所述第一導電層處形成第一通孔，所述第一導電層通過所述第一通孔形成基于所述鈍化層的第一凸起；
生長在所述鈍化層和第一導電層上的第一金屬焊接層。
2.根據權利要求1所述的陣列結構，其特征在于，還包括：
生長在所述N型氮化鎵層上的第二導電層，所述鈍化層覆蓋所述第二導電層，所述鈍化層在所述第二導電層處形成第二通孔，所述第二導電層通過所述第二通孔形成基于所述鈍化層的第二凸起；
生長在所述鈍化層和第二導電層上的第二金屬焊接層。
3.根據權利要求1所述的陣列結構，其特征在于，所述第一導電層自下而上依次包括：
生長在所述P型氮化鎵層上的粘附層；
生長在所述粘附層上的導電層；
生長在所述導電層上的擴散阻擋層；
生長在所述擴散阻擋層上的浸潤層。
4.根據權利要求3所述的陣列結構，其特征在于，所述粘附層為鈦，所述導電層為鋁，所述擴散阻擋層為鈦，所述浸潤層為金。
5.根據權利要求1所述的陣列結構，其特征在于，還包括：
生長在所述P型氮化鎵層上的電流擴散層，所述第一導電層生在在所述電流擴散層。
6.根據權利要求1所述的陣列結構，其特征在于，還包括：
生長在所述基底上的氮化鎵緩沖層，所述N型氮化鎵層生長在所述氮化鎵緩沖層上。
7.根據權利要求6所述的陣列結構，其特征在于，還包括：
生長在所述氮化鎵緩沖層上的U型氮化鎵層，所述N型氮化鎵層生長在所述U型氮化鎵層上。
8.根據權利要求1所述的陣列結構，其特征在于，所述第一凸起高于所述鈍化層100納米-500納米。
9.根據權利要求1所述的陣列結構，其特征在于，所述第一金屬焊接層為銦球凸點，所述銦球凸點的厚度為2微米-4微米。
10.一種Mirco-LED陣列，其特征在于，包括多個如權利要求1-9中任一所述的Mirco-LED陣列結構，所述Mirco-LED陣列結構按預設間隔呈周期性排列。
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