[發明專利]一種制作半導體元件的方法

在審

• 申請號: 202110095432.5
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN114792702A
• 公開（公告）日: 2022-07-26
• 發明（設計）人: 侯泰成;蔡馥郁;蔡濱祥;林大鈞;侯朝鐘;高葦昕
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L27/22
• 分類號: H01L27/22;H01L43/08;H01L43/10;H01L43/12
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種制作半導體元件的方法，其特征在于，包含：

提供基底，該基底包含磁阻式隨機存取存儲器區域以及邏輯區域；

形成磁性隧穿結(magnetic tunneling junction,MTJ)于該磁阻式隨機存取存儲器區域；

形成上電極于該磁性隧穿結上；以及

進行可流動式化學氣相沉積(flowable chemical vapor deposition,FCVD)制作工藝以形成第一金屬間介電層環繞該上電極以及該磁性隧穿結。

2.如權利要求1所述的方法，另包含：

形成第二金屬間介電層于該磁阻式隨機存取存儲器區域以及該邏輯區域上；

形成第一金屬內連線于該磁阻式隨機存取存儲器區域的該第二金屬間介電層內；

形成該磁性隧穿結于該第一金屬內連線上；

形成該第一金屬間介電層于該磁阻式隨機存取存儲器區域以及該邏輯區域；

去除該邏輯區域的該第一金屬間介電層；以及

形成第二金屬內連線于該邏輯區域上。

3.如權利要求2所述的方法，其中該上電極頂表面低于該第二金屬內連線頂表面。

4.如權利要求2所述的方法，另包含：

形成停止層于該第一金屬間介電層上；

形成第三金屬間介電層于該停止層上；以及

形成第三金屬內連線于該磁阻式隨機存取存儲器區域以連接該上電極以及第四金屬內連線于該邏輯區域以連接該第二金屬內連線。

5.如權利要求1所述的方法，其中該邏輯區域的該第一金屬間介電層頂表面低于該磁阻式隨機存取存儲器區域的該第一金屬間介電層頂表面。

6.如權利要求5所述的方法，其中該邏輯區域的該第一金屬間介電層及該磁阻式隨機存取存儲器區域的該第一金屬間介電層的高度差小于400埃。

7.如權利要求1所述的方法，另包含于進行該可流動式化學氣相沉積制作工藝后平坦化該第一金屬間介電層。

8.如權利要求7所述的方法，其中該平坦化制作工藝包含化學機械研磨制作工藝。