[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝裝置及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110095169.X
• 申請(qǐng)日: 2021-01-25
• 公開（公告）號(hào): CN112992804A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/16;H01L23/00;H01L21/56
• 代理公司: 北京植德律師事務(wù)所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導(dǎo)體封裝裝置，包括第一芯片和線路層；

所述第一芯片位于所述線路層上，所述第一芯片的主動(dòng)表面朝向所述線路層；

所述半導(dǎo)體封裝裝置定義應(yīng)力中性區(qū)，所述第一芯片的主動(dòng)表面的邊角靠近所述應(yīng)力中性區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述應(yīng)力中性區(qū)與所述半導(dǎo)體封裝裝置的底面的距離通過以下式(1)確定：

C＝A·[E₁(v₁+y·s)+E₂(v₂-y·s)] 式(1)

其中，C為所述應(yīng)力中性區(qū)與所述半導(dǎo)體封裝裝置的底面的距離，A為預(yù)設(shè)常數(shù)，E₁為所述第一扇出層的楊氏系數(shù)，E₂為所述封裝材的楊氏系數(shù)，s為所述第一扇出層的面積，y為所述第一扇出層的厚度，v₁為所述第一扇出層與所述半導(dǎo)體封裝裝置的體積比，v₂為所述封裝材與所述半導(dǎo)體封裝裝置的體積比。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述線路層包括主扇出層和位于所述主扇出層上的第一扇出層，所述第一扇出層的上表面相比于所述主扇出層的上表面更靠近所述應(yīng)力中性區(qū),所述第一芯片位于所述主第一扇出層上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述第二芯片位于所述主扇出層上。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述半導(dǎo)體封裝裝置還包括位于所述主扇出層上的第二扇出層，所述第二扇出層和所述第一扇出層位于所述主扇出層的同側(cè)，所述第二芯片位于所述第二扇出層上。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述第二芯片的主動(dòng)表面的邊角靠近所述應(yīng)力中性區(qū)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述應(yīng)力中性區(qū)位于所述半導(dǎo)體封裝裝置在厚度方向上的中間位置附近。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述半導(dǎo)體封裝裝置還包括位于所述線路層上的第二芯片。

9.一種半導(dǎo)體封裝裝置的制造方法，包括：

通過光刻、電鍍和刻蝕的重復(fù)過程，在載體上形成主扇出層；

通過光刻、電鍍和刻蝕的重復(fù)過程，在所述主扇出層上形成第一扇出層，其中，所述主扇出層和所述第一扇出層共同形成線路層；

將第一芯片電連接至所述第一扇出層，其中，所述第一芯片的主動(dòng)表面朝向所述線路層；

在所述第一芯片和所述第一扇出層之間設(shè)置底部填充材料；

在所述主扇出層上方進(jìn)行模塑，以得到半導(dǎo)體封裝裝置，其中，所述半導(dǎo)體封裝裝置定義應(yīng)力中性區(qū)，所述第一芯片的主動(dòng)表面的邊角靠近所述應(yīng)力中性區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述通過光刻、電鍍和刻蝕的重復(fù)過程，在所述主扇出層上形成第一扇出層，包括：

在所述主扇出層上放置阻擋層，其中，所述阻擋層具有空腔；

通過光刻、電鍍和刻蝕的重復(fù)過程，在所述阻擋層的所述空腔內(nèi)形成所述第一扇出層。