[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110095053.6
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112992825A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 黃文宏;蘇育賢
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

本公開涉及半導體結構及其制造方法，在基板和重布線層之間出現層偏的情況下，先確定出重布線層相對于基板的偏移量，然后根據偏移量調整激光的能量分布，進而由光的反射形成斜孔結構的導通孔，以實現基板和重布線層之間的電性連接。

技術領域

本公開涉及半導體技術領域，具體涉及半導體結構及其制造方法。

背景技術

在現有的一種半導體結構中，通過粘合層結合重布線層和基板，再通過導通孔聯通重布線層與基板之間的電性通道。

在重布線層通過粘合層固定連接至基板的熱制程中，由于基板和重布線層的材料不匹配、貼合設備精度等問題，導致基板和重布線層之間出現層偏的問題，進而導致導通孔制作失敗。為了避免出現層偏問題，即使提前考慮到補償重布線層和基板之間材料漲縮與貼合精度的誤差，也僅能把層偏程度控制在20微米左右，依舊會導致導通孔的制作失敗，無法準確聯通重布線層與基板，最終造成半導體結構的失效。

發明內容

本公開提供了半導體結構及其制造方法。

第一方面，本公開提供了一種半導體結構，該半導體結構包括：基板；粘合層，設于基板上；重布線層，設于粘合層上；導通孔，貫穿粘合層和重布線層，導通孔為斜孔結構，重布線層與基板通過導通孔電性連接。

在一些可選的實施方式中，基板具有第一對位標記，重布線層具有第二對位標記。

在一些可選的實施方式中，導通孔具有第一側壁角和第二側壁角，第一側壁角為90度到156度之間，第二側壁角為34度到90度之間。

在一些可選的實施方式中，導通孔包括上開孔，上開孔貫穿重布線層的上表面，上開孔的孔徑與導通孔的高度的長度比為0.2到1.1之間。

在一些可選的實施方式中，基板設有導電連接件，導通孔電性連接導電連接件。

在一些可選的實施方式中，第一對位標記和第二對位標記為十字形對位標記。

在一些可選的實施方式中，第一對位標記相對于第二對位標記在第一預設方向或第二預設方向的偏移量小于等于導通孔的上開孔的孔徑。

第二方面，本公開提供了一種半導體結構的制造方法，包括：提供基板，基板設有導電連接件；在基板上設置粘合層；在粘合層上設置重布線層，重布線層具有一預定移除區，預定移除區與導電連接件之間具有偏移量；提供激光以移除預定移除區以露出導電連接件，形成貫穿粘合層和重布線層的導通孔，導通孔為斜孔結構，激光的能量中心軸根據偏移量而偏移預定距離。

在一些可選的實施方式中，基板具有第一對位標記，重布線層具有第二對位標記。

在一些可選的實施方式中，在在粘合層上設置重布線層之后，該方法還包括：將第一對位標記相對于第二對位標記在第一預設方向或第二預設方向的偏移距離，確定為偏移量。

在一些可選的實施方式中，導通孔具有第一側壁角和第二側壁角，第一側壁角為90度到156度之間，第二側壁角為34度到90度之間。

在一些可選的實施方式中，導通孔包括上開孔，導通孔的上開孔貫穿重布線層的上表面，上開孔的孔徑與導通孔的高度的長度比為0.2到1.1之間。

在一些可選的實施方式中，第一對位標記和第二對位標記為十字形對位標記。

在一些可選的實施方式中，第一對位標記相對于第二對位標記在第一預設方向或第二預設方向的偏移量小于等于導通孔的上開孔的孔徑。