[發明專利]半導體結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110095053.6
• 申請日: 2021-01-25
• 公開（公告）號: CN112992825A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 黃文宏;蘇育賢
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48;H01L23/498;H01L21/48
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導體結構，包括：

基板；

粘合層，設于所述基板上；

重布線層，設于所述粘合層上；

導通孔，貫穿所述粘合層和所述重布線層，所述導通孔為斜孔結構，所述重布線層與所述基板通過所述導通孔電性連接。

2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述基板具有第一對位標記，所述重布線層具有第二對位標記。

3.根據權利要求1或2所述的半導體結構，其中，所述導通孔包括上開孔，所述上開孔貫穿所述重布線層的上表面，所述上開孔的孔徑與所述導通孔的高度的長度比為0.2到1.1之間。

4.根據權利要求1或2所述的半導體結構，其中，所述基板設有導電連接件，所述導通孔電性連接所述導電連接件。

5.根據權利要求2所述的半導體結構，其中，所述第一對位標記和所述第二對位標記為十字形對位標記。

6.根據權利要求2或5所述的半導體結構，其中，所述第一對位標記相對于所述第二對位標記在第一預設方向或第二預設方向的偏移量小于等于所述導通孔的上開孔的孔徑。

7.一種制造半導體結構的方法，包括：

提供基板，所述基板設有導電連接件；

在所述基板上設置粘合層；

在所述粘合層上設置重布線層，所述重布線層具有一預定移除區，所述預定移除區與所述導電連接件之間具有偏移量；

提供激光以移除所述預定移除區以露出所述導電連接件，形成貫穿所述粘合層和所述重布線層的導通孔，所述導通孔為斜孔結構，所述激光的能量中心軸根據所述偏移量而偏移預定距離。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述基板具有第一對位標記，所述重布線層具有第二對位標記；以及

在所述在所述粘合層上設置重布線層之后，所述方法還包括：

將所述第一對位標記相對于所述第二對位標記在第一預設方向或第二預設方向的偏移距離，確定為所述偏移量。

9.根據權利要求8所述的半導體結構，其中，所述第一對位標記和所述第二對位標記為十字形對位標記。

10.根據權利要求8或9所述的半導體結構，其中，所述第一對位標記相對于所述第二對位標記在所述第一預設方向或所述第二預設方向的偏移量小于等于所述導通孔的上開孔的孔徑。