[發(fā)明專利]檢測(cè)方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110093723.0
• 申請(qǐng)日: 2021-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112928037A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐興國(guó);張凌越;姜波
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/306
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

本發(fā)明提供一種檢測(cè)方法，用于檢測(cè)刻蝕液的刻蝕能力，包括：根據(jù)第一預(yù)設(shè)厚度及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中被去除的部分的頂表面的面積，得到刻蝕每組所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)后的所述刻蝕液中的刻蝕副產(chǎn)物的含量；然后，根據(jù)所述刻蝕液的累計(jì)放置時(shí)間及所述刻蝕副產(chǎn)物的含量，得到所述刻蝕液的刻蝕速率變化值，將得到的所述刻蝕速率變化值與一閾值進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果判斷所述刻蝕液的刻蝕能力是否合格；由此，可以精準(zhǔn)的控制更換所述刻蝕液的時(shí)機(jī)，避免刻蝕液未被充分利用的情況下而被置換掉，造成刻蝕液的浪費(fèi)以及避免增加廢液排放。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種檢測(cè)方法。

背景技術(shù)

在刻蝕工藝中，被刻蝕的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)會(huì)與刻蝕液發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，由此，會(huì)在刻蝕液中產(chǎn)生刻蝕副產(chǎn)物，產(chǎn)生的刻蝕副產(chǎn)物會(huì)導(dǎo)致刻蝕液的活性減弱。刻蝕液的活性是濕法化學(xué)刻蝕工藝中控制刻蝕速率的關(guān)鍵指標(biāo)。因此，為了保證刻蝕速率的穩(wěn)定，通常會(huì)對(duì)刻蝕液的刻蝕能力進(jìn)行檢測(cè)。

在現(xiàn)有技術(shù)中，對(duì)刻蝕液的檢測(cè)方法包括：在濕法刻蝕設(shè)備中設(shè)置預(yù)定的程式，根據(jù)濕法刻蝕設(shè)備計(jì)算刻蝕液的放置時(shí)間，在刻蝕液放置時(shí)間達(dá)到預(yù)定時(shí)間后更換一次刻蝕液，從而保證刻蝕液的刻蝕速率在預(yù)定范圍內(nèi)。然而，不同制程下(或者說(shuō)不同組的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu))，在刻蝕過(guò)程中所產(chǎn)生的刻蝕副產(chǎn)物量不同，因此，現(xiàn)有技術(shù)中根據(jù)濕法刻蝕設(shè)備的工作時(shí)間來(lái)更換刻蝕液的方法，會(huì)導(dǎo)致在置換刻蝕液時(shí)，刻蝕液未被充分利用而被置換掉，從而造成刻蝕液的浪費(fèi)以及增加廢液排放。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種檢測(cè)方法，用于檢測(cè)刻蝕液的刻蝕能力，以解決現(xiàn)有技術(shù)在置換刻蝕液時(shí)，刻蝕液未被充分利用而被置換掉，從而造成刻蝕液的浪費(fèi)以及增加廢液排放問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種檢測(cè)方法，包括：

提供預(yù)設(shè)量的刻蝕液，并提供所述刻蝕液初始時(shí)的刻蝕速率；

提供多組半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，并提供所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中需刻蝕的部分在水平方向的截面面積，以及提供所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)需刻蝕的部分的第一預(yù)設(shè)厚度，其中，每組的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的數(shù)量至少為一個(gè)；

通過(guò)所述刻蝕液依次刻蝕所述多組半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以去除所述第一預(yù)設(shè)厚度的所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；

根據(jù)所述第一預(yù)設(shè)厚度及所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中被去除的部分的頂表面的面積，得到刻蝕每組所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)后的所述刻蝕液中的刻蝕副產(chǎn)物的含量；

根據(jù)所述刻蝕液的累計(jì)放置時(shí)間及得到的所述刻蝕副產(chǎn)物的含量，得到所述刻蝕液的刻蝕速率變化值；

將得到的所述刻蝕速率變化值與一閾值進(jìn)行比較，并根據(jù)比較結(jié)果判斷所述刻蝕液的刻蝕能力是否合格。

可選的，在所述的檢測(cè)方法中，所述刻蝕速率變化值根據(jù)如下公式得到：

△E＝△E₁+△E₂；其中，△E表示為刻蝕速率變化值，△E₁表示為第一刻蝕速率變化值，△E₂表示為第二刻蝕速率變化值。

可選的，在所述的檢測(cè)方法中，第一刻蝕速率變化值根據(jù)如下公式得到：

△E₁＝Q*K₁，其中，Q表示為刻蝕每組半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)后的刻蝕液中的刻蝕副產(chǎn)物的含量，K₁表示為第一變化值系數(shù)；

第二刻蝕速率變化值通過(guò)如下公式得到：

△E₂＝T*K₂，其中，K₂表示為第二變化值系數(shù)，T表示為刻蝕液的累計(jì)放置時(shí)間。

可選的，在所述的檢測(cè)方法中，刻蝕每組所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)后的所述刻蝕液中的刻蝕副產(chǎn)物的含量，根據(jù)如下公式得到：