[發明專利]檢測方法

在審

• 申請號: 202110093723.0
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112928037A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 徐興國;張凌越;姜波
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/306
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種檢測方法，用于檢測刻蝕液的刻蝕能力，其特征在于，包括：

提供預設量的刻蝕液，并提供所述刻蝕液初始時的刻蝕速率；

提供多組半導體結構，并提供所述半導體結構中需刻蝕的部分的頂表面的面積，以及提供所述半導體結構需刻蝕的部分的厚度以提供第一預設厚度，其中，每組的半導體結構的數量至少為一個；

通過所述刻蝕液依次刻蝕所述多組半導體結構，以去除所述第一預設厚度的所述半導體結構；

根據所述第一預設厚度及所述半導體結構中被去除的部分的頂表面的面積，得到刻蝕每組所述半導體結構后的所述刻蝕液中的刻蝕副產物的含量；

根據所述刻蝕液的累計放置時間及得到的所述刻蝕副產物的含量，得到所述刻蝕液的刻蝕速率變化值；

將得到的所述刻蝕速率變化值與一閾值進行比較，并根據比較結果判斷所述刻蝕液的刻蝕能力是否合格。

2.如權利要求1所述的檢測方法，其特征在于，所述刻蝕速率變化值根據如下公式得到：

△E＝△E₁+△E₂；其中，△E表示為刻蝕速率變化值，△E₁表示為第一刻蝕速率變化值，△E₂表示為第二刻蝕速率變化值。

3.如權利要求2所述的檢測方法，其特征在于，所述第一刻蝕速率變化值根據如下公式得到：

△E₁＝Q*K₁，其中，Q表示為刻蝕每組半導體結構后的刻蝕液中的刻蝕副產物的含量，K₁表示為第一變化值系數；

所述第二刻蝕速率變化值通過如下公式得到：

△E₂＝T*K₂，其中，K₂表示為第二變化值系數，T表示為刻蝕液的累計放置時間。

4.如權利要求3所述的檢測方法，其特征在于，刻蝕每組所述半導體結構后的所述刻蝕液中的刻蝕副產物的含量，根據如下公式得到：

Q₁＝(P₁*T₁*A₁)；

Q_n＝(P₁*T₁*A₁+…+P_n*T_n*A_n)；

其中，Q₁表示為刻蝕第一組半導體結構后的刻蝕液中的刻蝕副產物的含量，Q_n表示為刻蝕第n組半導體結構后的刻蝕液中的刻蝕副產物的含量，P表示為每組半導體結構的數量，T表示為預設厚度，A表示為一個半導體結構中被去除的部分的頂表面的面積，n表示為每組半導體結構的序號，并且n≥2。

5.如權利要求3所述的檢測方法，其特征在于，所述第一刻蝕速率變化值為所述刻蝕液初始時的刻蝕速率與所述刻蝕液含有刻蝕副產物時的刻蝕速率之間的差值，所述第二刻蝕速率為所述刻蝕液初始時的刻蝕速率與所述刻蝕液被被放置所述累計放置時間后的刻蝕速率之間的差值的絕對值。