[發明專利]一種SSD數據存儲下電控制裝置及方法

有效

• 申請號: 202110093017.6
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112783806B
• 公開（公告）日: 2022-07-19
• 發明（設計）人: 張兆峰;王瑞杰;華要宇
• 申請（專利權）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類號: G06F12/16
• 分類號: G06F12/16
• 代理公司: 濟南誠智商標專利事務所有限公司 37105
• 代理人: 黃曉燕

本發明公開一種SSD數據存儲下電控制裝置包括電性連接供電電源的處理模塊，所述供電電源電性連接第一集成電源管理模塊和第二集成電源管理模塊；所述第一集成電源管理模塊和第二集成電源管理模塊電性連接SSD存儲系統；所述處理模塊電性連接所述第一集成電源管理模塊的PG引腳；所述處理模塊電性連接所述第二集成電源管理模塊的使能引腳和PG引腳。本發明提供的SSD數據存儲下電控制裝置能夠保證第二集成電源管理模塊在備電過程中，穩定輸出，保證Nand Flash的工作需求。本發明提供一種SSD數據存儲下電控制方法，由SSD控制器獲取待存儲數據堆棧量，當所述待存儲數據堆棧量大于設定閾值時，為Nand Flash的通道配置最大lun以實現更快地對待存儲數據進行存儲。

技術領域

本發明涉及SSD下電存儲技術領域，尤其涉及一種SSD數據存儲下電控制裝置及方法。

背景技術

固態硬盤(Solid State Drives，SSD)是一種高性能存儲器。在云計算時代，海量數據存儲傳輸需要大容量的存儲載體平臺，隨著SSD在存儲服務系統的廣泛的應用，數據運算存儲效率的提高。

SSD的下電過程對數據存儲具有重要的影響，合理的電源下電控制方式能夠保證數據安全可靠的存儲到NAND顆粒中。現有SSD下電設計中，外部輸入電壓掉電，會觸發掉電中斷，掉電重點會啟動掉電數據存儲業務，將數據保存在Nand Flash中，過程中，備電模塊功過備電模塊的輸出經PMIC變換至9.2V，Boost PMIC再將9.2V轉換至12V對Nand Flash供電，以完成掉電數據存儲業務。所述Boost PMIC的使能是由圖1所示的mos開關Q1和mos開關Q2控制，由于mos開關Q1柵極的上拉電壓由12V降為9.2V，工作在放大狀態，mos開關Q2的柵極電平為高，處于導通狀態，導致使能電平拉低，所述Boost PMIC的輸出不能保持恒定，處于跌落狀態。對于使用SSD的存儲服務器系統，高數據量存儲狀態下，大量數據堆棧，存儲系統以設定數量的lun執行讀寫來存儲耗費時間較長，所述Boost PMIC的輸出在數據處理沒完成時就跌落到spec范圍外，導致數據丟失的情況。

發明內容

為解決備電期間輸出電壓不穩和大量數據待處理時數據處理能力未能充分釋放而導致數據丟失的問題，本發明提供一種SSD數據存儲下電控制裝置，包括處理模塊，其中，

所述處理模塊電性連接供電電源，所述供電電源的電源輸出電性連接第一集成電源管理模塊和第二集成電源管理模塊；

所述第一集成電源管理模塊和第二集成電源管理模塊電性連接SSD存儲系統；

所述處理模塊電性連接所述第一集成電源管理模塊的使能引腳和PG引腳；所述處理模塊電性連接所述第二集成電源管理模塊的使能引腳和PG引腳。

更進一步地，所述供電電源包括主電模塊和備電模塊，其中所述主電模塊配置在位檢測單元，所述在位檢測單元電性連接所述處理模塊并向所述處理模塊發送掉電中斷信號。

更進一步地，所述第一集成電源管理模塊的PG引腳電性連接漏極開路的場效應管Q3，所述場效應管Q3的漏極電性連接所述處理模塊；所述第二集成電源管理模塊的PG引腳電性連接漏極開路的場效應管Q4，所述場效應管Q4的漏極電性連接所述處理模塊。

更進一步地，所述處理模塊電性連接mos開關Q1的柵極，所述mos開關Q1的源極接地，所述mos開關Q1的漏極經上拉電阻R3電性連接所述第二集成電源管理模塊，所述mos開關Q1的漏極電性連接mos開關Q2的柵極，所述mos開關Q2的源極接地，所述mos開關Q2的漏極經上拉電阻R4連接所述第二集成電源管理模塊，所述mos開關Q2的漏極連接接地的電容C3，所述第二集成電源管理模塊的使能引腳電性連接所述mos開關Q2的漏極。

更進一步地，所述處理模塊電性連接所述第一集成電源管理模塊的使能引腳。