[發(fā)明專(zhuān)利]一種SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制裝置及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110093017.6
• 申請(qǐng)日: 2021-01-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112783806B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張兆峰;王瑞杰;華要宇
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 蘇州浪潮智能科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G06F12/16
• 分類(lèi)號(hào): G06F12/16
• 代理公司: 濟(jì)南誠(chéng)智商標(biāo)專(zhuān)利事務(wù)所有限公司 37105
• 代理人: 黃曉燕

1.一種SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制裝置，其特征在于，包括處理模塊（1），其中，

所述處理模塊（1）電性連接供電電源（2），所述供電電源（2）的電源輸出電性連接第一集成電源管理模塊（3）和第二集成電源管理模塊（4）；

所述第一集成電源管理模塊（3）和第二集成電源管理模塊（4）電性連接SSD存儲(chǔ)系統(tǒng)（5）；

所述處理模塊（1）電性連接所述第一集成電源管理模塊（3）PG引腳；所述處理模塊（1）電性連接所述第二集成電源管理模塊（4）的使能引腳和PG引腳，其中，所述處理模塊（1）電性連接mos開(kāi)關(guān)Q1的柵極，所述mos開(kāi)關(guān)Q1的源極接地，所述mos開(kāi)關(guān)Q1的漏極經(jīng)上拉電阻R3電性連接所述第二集成電源管理模塊（4），所述mos開(kāi)關(guān)Q1的漏極電性連接mos開(kāi)關(guān)Q2的柵極，所述mos開(kāi)關(guān)Q2的源極接地，所述mos開(kāi)關(guān)Q2的漏極經(jīng)上拉電阻R4連接所述第二集成電源管理模塊（4），所述mos開(kāi)關(guān)Q2的漏極連接接地的電容C3，所述第二集成電源管理模塊（4）的使能引腳電性連接所述mos開(kāi)關(guān)Q2的漏極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制裝置，其特征在于，所述供電電源（2）包括主電模塊和備電模塊，其中所述主電模塊配置在位檢測(cè)單元，所述在位檢測(cè)單元電性連接所述處理模塊（1）并向所述處理模塊（1）發(fā)送掉電中斷信號(hào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制裝置，其特征在于，所述第一集成電源管理模塊（3）的PG引腳電性連接漏極開(kāi)路的場(chǎng)效應(yīng)管Q3，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q3的漏極電性連接所述處理模塊（1）；所述第二集成電源管理模塊（4）的PG引腳電性連接漏極開(kāi)路的場(chǎng)效應(yīng)管Q4，所述場(chǎng)效應(yīng)管Q4的漏極電性連接所述處理模塊（1）。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制裝置，其特征在于，所述處理模塊（1）電性連接所述第一集成電源管理模塊（3）的使能引腳。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制裝置，其特征在于，所述SSD存儲(chǔ)系統(tǒng)（5）包括Nand Flash、SSD控制器以及Dram，所述處理模塊（1）電性連接所述SSD控制器。

6.一種基于權(quán)利要求1-5任一SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制裝置的SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制方法，其特征在于，包括：

在位檢測(cè)單元檢測(cè)主電模塊是否在位，所述主電模塊不在位則所述在位檢測(cè)單元向處理模塊發(fā)送掉電中斷信號(hào)；

所述處理模塊接收掉電中斷信號(hào)，所述處理模塊根據(jù)掉電中斷信號(hào)向SSD控制器發(fā)送啟動(dòng)掉電存儲(chǔ)信號(hào)；

所述SSD控制器接收啟動(dòng)掉電存儲(chǔ)信號(hào)后啟動(dòng)掉電存儲(chǔ)過(guò)程。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制方法，其特征在于，所述啟動(dòng)掉電存儲(chǔ)過(guò)程包括：所述SSD控制器獲取待存儲(chǔ)數(shù)據(jù)堆棧量，并比較待存儲(chǔ)數(shù)據(jù)堆棧量與設(shè)定閾值，當(dāng)所述待存儲(chǔ)數(shù)據(jù)堆棧量大于所述設(shè)定閾值，所述SSD控制器為Nand Flash的每個(gè)通道分配最大數(shù)量的lun進(jìn)行讀寫(xiě)以完成掉電存儲(chǔ)；當(dāng)所述待存儲(chǔ)數(shù)據(jù)堆棧量小于所述設(shè)定閾值，所述SSD控制器為Nand Flash的每個(gè)通道分配默認(rèn)數(shù)量的lun進(jìn)行讀寫(xiě)以完成掉電存儲(chǔ)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的SSD數(shù)據(jù)存儲(chǔ)下電控制方法，其特征在于，所述設(shè)定閾值根據(jù)所述默認(rèn)數(shù)量的lun的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)能力進(jìn)行設(shè)定。