[發(fā)明專利]利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110089120.3
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112921268A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁國梁;喬栓虎
• 申請（專利權(quán)）人: 山東電盾科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/35
• 代理公司: 青島發(fā)思特專利商標(biāo)代理有限公司 37212
• 代理人: 耿霞

本發(fā)明涉及建筑材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)。所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，制備步驟為：利用磁控濺射法，在陶瓷板釉面依次形成氮化硅薄膜過渡層、鉻鎳膜導(dǎo)電層，退火得到電磁屏蔽陶瓷板。本發(fā)明提供一種利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，制備出的電磁屏蔽陶瓷板有效屏蔽外界信號對設(shè)備影響，避免外界電場對儀器設(shè)備的影響，提高儀器設(shè)備測試精度，延長使用壽命,產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于醫(yī)院、學(xué)校、地鐵等公共場所。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及建筑材料技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)。

背景技術(shù)

隨著各種電子通信設(shè)備日益普及和應(yīng)用，產(chǎn)生的電磁污染現(xiàn)象也越來越嚴(yán)重。這些電磁污染一方面會對人體造成較大危害，同時在一些大型儀器場所會嚴(yán)重干擾儀器設(shè)備正常運行。電磁屏蔽是解決電磁污染的主要解決方法，這就要求建筑材料，具有較好電磁屏蔽功能。目前，電磁屏蔽是通過材料本身添加導(dǎo)電材料實現(xiàn)電磁屏蔽作用的。將導(dǎo)電材料添加到釉料中，雖然可以使材料具有良好的電磁屏蔽作用，但是只有導(dǎo)電材料的添加量足夠多才能實現(xiàn)較好導(dǎo)電效果，并且容易導(dǎo)致釉料燒成制度改變，釉料層引入較多的針孔和氣泡；利用在陶瓷板表面形成屏蔽薄膜進行電磁屏蔽容易導(dǎo)致陶瓷表面光滑度不高，結(jié)合強度低。因此，針對以上問題，制得一種電磁屏蔽陶瓷板，既要達到電磁屏蔽效果好，又要工藝簡單，又可作為建筑材料使用的技術(shù)，成為本發(fā)明的首要任務(wù)。

專利CN201610260932.9公開了一種防靜電電磁屏蔽陶瓷磚，通過在坯體和釉層原料中添加電磁屏蔽料導(dǎo)電石墨粉和防靜電材料氧化鋅、二氧化錫、三氧化二銻，達到了較好的陶瓷板電磁屏蔽功能。

專利CN201210374879.7公開了一種電磁波屏蔽復(fù)合材料的制備方法，通過在陶瓷表面刻蝕的凹槽內(nèi)部布置金屬纖維后，采用有機膠封的方法獲得了具有較好電磁屏蔽功能陶瓷材料。

專利CN201810844181.4公開了一種可回收的電磁屏蔽用液態(tài)金屬漿料及其制備方法和應(yīng)用，將制備得到的液態(tài)金屬漿料和粘性摻雜劑混合液通過噴涂、刷涂、滾涂或浸涂方式，涂布在PVC、PET、PVA、織物、陶瓷、金屬或紙張的表面，制備得到電磁屏蔽涂層。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，制備出的電磁屏蔽陶瓷板有效屏蔽外界信號對設(shè)備影響，避免外界電場對儀器設(shè)備的影響，提高儀器設(shè)備測試精度，延長使用壽命。產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于醫(yī)院、學(xué)校、地鐵等公共場所。

本發(fā)明所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，制備步驟為：利用磁控濺射法，在陶瓷板釉面依次形成氮化硅薄膜過渡層、鉻鎳膜導(dǎo)電層，退火得到電磁屏蔽陶瓷板。

利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，步驟包括：

(1)將陶瓷板置于真空室，抽真空，通氬氣轟擊清洗陶瓷板，采用平面硅靶材，利用磁控濺射法，調(diào)整負壓，進行氮化硅薄膜沉積，最后進行退火，得到氮化硅薄膜過渡層；

(2)將上述制得的氮化硅薄膜過渡層的陶瓷板，進行與步驟(1)相同條件清洗，然后采用鉻鎳靶材，利用磁控濺射法，進行金屬鉻鎳薄膜沉積，最后進行退火，鍍得鉻鎳薄膜，得到電磁屏蔽陶瓷板。

步驟(1)中，轟擊清洗陶瓷板的真空度為6.6×10^-4Pa。

步驟(1)中通入氬氣的流量值為35sccm。

步驟(1)中利用磁控濺射法的濺射時間為60min。

步驟(1)中氮化硅薄膜沉積制度為：硅靶電源射頻功率為3KW；真空度為10^-4～10^-3Pa。

步驟(1)中退火溫度為550-600℃，時間為60min。