[發(fā)明專利]利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)

在審

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• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112921268A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 袁國梁;喬栓虎
• 申請（專利權(quán)）人: 山東電盾科技股份有限公司
• 主分類號: C23C14/02
• 分類號: C23C14/02;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58;C23C14/35
• 代理公司: 青島發(fā)思特專利商標代理有限公司 37212
• 代理人: 耿霞

1.一種利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：制備步驟為：利用磁控濺射法，在陶瓷板釉面依次形成氮化硅薄膜過渡層、鉻鎳膜導電層，退火得到電磁屏蔽陶瓷板。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：制備步驟包括：

(1)將陶瓷板置于真空室，抽真空，通氬氣轟擊清洗陶瓷板，采用平面硅靶材，利用磁控濺射法，調(diào)整負壓，進行氮化硅薄膜沉積，最后進行退火，得到氮化硅薄膜過渡層；

(2)將上述制得的氮化硅薄膜過渡層的陶瓷板，進行與步驟(1)相同條件清洗，然后采用鉻鎳靶材，利用磁控濺射法，進行金屬鉻鎳薄膜沉積，最后進行退火，鍍得鉻鎳薄膜，得到電磁屏蔽陶瓷板。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：步驟(1)中，轟擊清洗陶瓷板的真空度為6.6×10^-4Pa。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：步驟(1)中通入氬氣的流量值為35sccm。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：步驟(1)中氮化硅薄膜沉積時間為60min。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：步驟(1)中氮化硅薄膜沉積制度為：硅靶電源射頻功率為3KW；真空度為10^-4～10^-3Pa。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：步驟(1)中退火溫度為550-600℃，時間為60min。

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：步驟(2)中鉻鎳薄膜沉積制度為：鉻鎳電源射頻功率為140-160W；真空度為0.2-0.6Pa。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射法制備電磁屏蔽陶瓷板技術(shù)，其特征在于：步驟(2)中退火溫度為440-460℃，時間為30min。