[發明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 202110088932.6 | 申請日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN113206129A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 方琪皓;金恩惠;崔原碩 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
本公開涉及一種顯示裝置及其制造方法。顯示裝置包括:基底基板,包括顯示圖像的顯示區域以及與顯示區域相鄰的非顯示區域;第一通孔絕緣層,配置在基底基板上;第一電源布線,在第一通孔絕緣層上配置在非顯示區域中;第二電源布線,在第一通孔絕緣層上配置在非顯示區域中,并與第一電源布線隔開;第一壩,配置在基底基板上,并與第一電源布線以及第二電源布線重疊,并且沿非顯示區域延伸;第一疊層結構物,在第一壩和顯示區域之間配置在第一通孔絕緣層上,并具有低于第一壩的高度;以及有機層,配置在第一疊層結構物以及第一壩上,以與第一疊層結構物的全部以及第一壩的至少一部分重疊。
技術領域
本發明涉及一種顯示裝置以及所述顯示裝置的制造方法,更詳細而言涉及一種薄膜封裝層的有機層形成質量提高的顯示裝置以及所述顯示裝置的制造方法。
背景技術
近年來,隨著技術發展,正在生產著小型化、輕量化且性能更優異的顯示產品。目前為止,在顯示裝置中,以往的顯像管電視(cathode ray tube:CRT)在性能或價格方面具有諸多的優點而被廣泛使用,但是在小型化或便攜性的方面克服CRT的缺點而具有小型化、輕量化以及低電力消耗等優點的顯示裝置,例如等離子體顯示裝置、液晶顯示裝置以及有機發光顯示裝置等備受矚目。
所述顯示裝置可以是,內部結構物被薄膜封裝層封裝,觸摸屏面板形成在其上。例如,所述有機發光顯示裝置可以具有薄膜封裝層以及觸摸屏面板直接形成在所述薄膜封裝層上的結構,此時,所述薄膜封裝層的質量可能影響顯示質量以及所述觸摸屏面板的質量。
發明內容
對此,本發明的技術問題是考慮到這些問題而提出的,本發明的目的在于提供一種包括質量提高的薄膜封裝層的顯示裝置。
本發明的另一目的在于提供一種所述顯示裝置的制造方法。
用于實現上述的本發明的目的的根據一實施例的顯示裝置包括:基底基板,包括顯示圖像的顯示區域以及與所述顯示區域相鄰的非顯示區域;第一通孔絕緣層,配置在所述基底基板上;第一電源布線,在所述第一通孔絕緣層上配置在所述非顯示區域中;第二電源布線,在所述第一通孔絕緣層上配置在所述非顯示區域中,并與所述第一電源布線隔開;第一壩,配置在所述基底基板上,并與所述第一電源布線以及所述第二電源布線重疊,并且沿所述非顯示區域延伸;第一疊層結構物,在所述第一壩和所述顯示區域之間配置在所述第一通孔絕緣層上,并具有低于所述第一壩的高度;以及有機層,配置在所述第一疊層結構物以及所述第一壩上,以與所述第一疊層結構物的全部以及所述第一壩的至少一部分重疊。
在本發明的一實施例中,可以是,所述顯示裝置還包括:第二疊層結構物,配置在所述第一疊層結構物和所述第一壩之間。
在本發明的一實施例中,可以是,所述顯示裝置還包括:第二通孔絕緣層,配置在所述第一通孔絕緣層上。可以是,所述第一疊層結構物包括所述第二通孔絕緣層的一部分。可以是,所述第一壩包括所述第二通孔絕緣層的一部分。可以是,所述第二通孔絕緣層在所述第一壩中具有第一高度,并在所述第一疊層結構物中具有低于所述第一高度的第二高度。
在本發明的一實施例中,可以是,所述顯示裝置還包括:像素界定膜,配置在所述第二通孔絕緣層上。可以是,所述第一疊層結構物包括所述像素界定膜的一部分。可以是,所述第一壩包括所述像素界定膜的一部分。
在本發明的一實施例中,可以是,所述第一疊層結構物的高度低于所述第二疊層結構物的高度。
在本發明的一實施例中,可以是,所述第一疊層結構物與所述第一壩平行地向第一方向延伸。
在本發明的一實施例中,可以是,所述第一疊層結構物與所述第一壩連接,所述第一疊層結構物與所述第一壩形成臺階。
在本發明的一實施例中,可以是,所述第一疊層結構物配置成與所述第一電源布線以及所述第二電源布線不重疊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





