[發(fā)明專利]顯示裝置及其制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110088932.6 | 申請日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN113206129A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 方琪皓;金恩惠;崔原碩 | 申請(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;玉昌峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
基底基板,包括顯示圖像的顯示區(qū)域以及與所述顯示區(qū)域相鄰的非顯示區(qū)域;
第一通孔絕緣層,配置在所述基底基板上;
第一電源布線,在所述第一通孔絕緣層上配置在所述非顯示區(qū)域中;
第二電源布線,在所述第一通孔絕緣層上配置在所述非顯示區(qū)域中,并與所述第一電源布線隔開;
第一壩,配置在所述基底基板上,并與所述第一電源布線以及所述第二電源布線重疊,并且沿所述非顯示區(qū)域延伸;
第一疊層結(jié)構(gòu)物,在所述第一壩和所述顯示區(qū)域之間配置在所述第一通孔絕緣層上,并具有低于所述第一壩的高度;以及
有機層,配置在所述第一疊層結(jié)構(gòu)物以及所述第一壩上,以與所述第一疊層結(jié)構(gòu)物的全部以及所述第一壩的至少一部分重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述顯示裝置還包括:
第二疊層結(jié)構(gòu)物,配置在所述第一疊層結(jié)構(gòu)物和所述第一壩之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
所述顯示裝置還包括:
第二通孔絕緣層,配置在所述第一通孔絕緣層上,
所述第一疊層結(jié)構(gòu)物包括所述第二通孔絕緣層的一部分,
所述第一壩包括所述第二通孔絕緣層的一部分,
所述第二通孔絕緣層在所述第一壩中具有第一高度,并在所述第一疊層結(jié)構(gòu)物中具有低于所述第一高度的第二高度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其特征在于,
所述顯示裝置還包括:
像素界定膜,配置在所述第二通孔絕緣層上,
所述第一疊層結(jié)構(gòu)物包括所述像素界定膜的一部分,
所述第一壩包括所述像素界定膜的一部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一疊層結(jié)構(gòu)物的高度低于所述第二疊層結(jié)構(gòu)物的高度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一疊層結(jié)構(gòu)物與所述第一壩平行地向第一方向延伸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一疊層結(jié)構(gòu)物與所述第一壩連接,所述第一疊層結(jié)構(gòu)物與所述第一壩形成臺階。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述第一疊層結(jié)構(gòu)物配置成與所述第一電源布線以及所述第二電源布線不重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
在所述第一電源布線以及所述第二電源布線中形成有多個開口,
所述多個開口位于所述第一疊層結(jié)構(gòu)物和所述第一壩之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,
所述顯示裝置還包括:
第一電極,在所述基底基板上配置在所述顯示區(qū)域中;
發(fā)光層,配置在所述第一電極上;以及
第二電極,配置在所述發(fā)光層上,
所述第二電極配置在所述第一疊層結(jié)構(gòu)物以及所述第一壩上,以與所述第一疊層結(jié)構(gòu)物的全部以及所述第一壩的至少一部分重疊。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





