[發(fā)明專利]一種PERC高效電池SE激光后方阻測試圖形在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110088797.5 | 申請日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN114823397A | 公開(公告)日: | 2022-07-29 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉娟;張滿滿;錢俊 | 申請(專利權)人: | 江蘇潤陽悅達光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司: | 南京普睿益思知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 32475 | 代理人: | 杜朝霞 |
| 地址: | 224007 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 perc 高效 電池 se 激光 后方 測試 圖形 | ||
1.一種PERC高效電池SE激光后方阻測試圖形,其特征在于,測試步驟包括如下:
S1,預處理:首先在激光機臺上設計五個相等大小的方塊圖形,然后即可固定相對應的坐標,并取出四探針方阻測試儀待用;
S2,確保重摻雜:利用四探針測試點位正好測試對應激光的方塊位置,以此來確保測試的每個點都是重摻雜區(qū)域;
S3,確認位置:當正面激光后需在二次元下光斑確認狀態(tài)無誤,然后依次填充滿整個激光方塊區(qū)域,并確保五個激光方塊區(qū)域全部填充滿;
S4,開始測試:當激光后的光斑,再利用四探針測試儀測試激光重摻雜區(qū)域,確保測試數(shù)據(jù)的準確性。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種PERC高效電池SE激光后方阻測試圖形的制備方法,其特征在于,步驟S1中,首先在激光機臺上設計五個相等大小的方塊圖形,方塊圖形的規(guī)格大小為50mm×50mm,然后即可固定相對應的坐標,并取出四探針方阻測試儀待用。
3.根據(jù)權利要求1所述的一種PERC高效電池SE激光后方阻測試圖形的制備方法,其特征在于,步驟S2中,利用四探針測試點位正好測試對應激光的方塊位置,以此來確保測試的每個點都是重摻雜區(qū)域,并重復步驟來確認兩次保證準確性。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種PERC高效電池SE激光后方阻測試圖形的制備方法,其特征在于,步驟S3中,當正面激光后需在二次元下光斑確認狀態(tài)無誤,保證是連續(xù)的、無重疊,同時光斑飽和度需要達到正常水準,然后依次填充滿整個激光方塊區(qū)域,并確保五個激光方塊區(qū)域全部填充滿。
5.根據(jù)權利要求1所述的一種PERC高效電池SE激光后方阻測試圖形的制備方法,其特征在于,步驟S3中,需要進一步在四探針上面編輯一個與之匹配的測試點,確保測試點與激光位置相對應。
6.根據(jù)權利要求1所述的一種PERC高效電池SE激光后方阻測試圖形的制備方法,其特征在于,步驟S4中,當激光后的光斑,再利用四探針測試儀測試激光重摻雜區(qū)域,確保測試數(shù)據(jù)的準確性,將采集到的五個點數(shù)據(jù)進行記錄,然后求其平均值,即可確認為正面激光后方阻的數(shù)據(jù)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





