[發(fā)明專利]離子布植系統(tǒng)以及用于離子布植的氣體運(yùn)輸?shù)姆椒?/span>在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110088298.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-01-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113140437A | 公開(公告)日: | 2021-07-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林弘青;涂紀(jì)誠(chéng);張一庭;呂超波;林琮閔 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01J37/317 | 分類號(hào): | H01J37/317;H01L21/67;H01L21/265;F17D1/02;F17D3/01;F17D5/00;F17D5/02 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹市*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 離子 系統(tǒng) 以及 用于 氣體 運(yùn)輸 方法 | ||
一種離子布植系統(tǒng)以及用于離子布植的氣體運(yùn)輸?shù)姆椒?。離子布植系統(tǒng)包括具有離子源單元的離子布植機(jī)和摻雜劑源氣體供應(yīng)系統(tǒng)。此系統(tǒng)包括位于遠(yuǎn)離離子布植機(jī)的氣箱容器內(nèi)部的摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐,以及用以將摻雜劑源氣體從摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐供應(yīng)到離子源單元的摻雜劑源氣體供應(yīng)管。摻雜劑源氣體供應(yīng)管包括內(nèi)管、包圍內(nèi)管的外管、連接至相應(yīng)的內(nèi)管和外管的第一端的第一管轉(zhuǎn)接器,以及連接至相應(yīng)的內(nèi)管和外管的第二端的第二管轉(zhuǎn)接器。第一管轉(zhuǎn)接器將內(nèi)管連接到摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐,而第二管轉(zhuǎn)接器將內(nèi)管連接到離子源單元。
技術(shù)領(lǐng)域
本揭露涉及離子布植機(jī)的氣體輸送系統(tǒng)及其方法。
背景技術(shù)
離子布植是透過(guò)用賦能離子直接轟擊基板來(lái)將化學(xué)物質(zhì)引入基板的過(guò)程。在半導(dǎo)體制造中,離子布植通常用于將摻雜劑引入到半導(dǎo)體晶片中以改變半導(dǎo)體晶片的電子特性。離子布植在離子布植機(jī)中進(jìn)行。離子布植機(jī)包括用于產(chǎn)生帶正電的離子種類的離子源單元。這些離子種類透過(guò)高電壓提取電位從離子源單元中提取出來(lái),然后被過(guò)濾以獲得所需的離子種類(即,將要撞擊到靶材(例如,在半導(dǎo)體晶片上的靶材區(qū)域)的離子種類)。將所需的離子種類進(jìn)一步加速并將其引導(dǎo)至用于布植的靶材。
發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本揭露的部分實(shí)施例,提供一種離子布植系統(tǒng),包含:離子布植機(jī)和摻雜劑源氣體供應(yīng)系統(tǒng)。離子布植機(jī)包含離子源單元。摻雜劑源氣體供應(yīng)系統(tǒng),包含:摻雜源氣體儲(chǔ)存罐和摻雜劑源氣體供應(yīng)管。摻雜源氣體儲(chǔ)存罐在遠(yuǎn)離離子布植機(jī)的氣箱容器內(nèi)。摻雜劑源氣體供應(yīng)管用以將摻雜劑源氣體從摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐供應(yīng)到離子源單元,摻雜劑源氣體供應(yīng)管包含:內(nèi)管、外管、第一管轉(zhuǎn)接器和第二管轉(zhuǎn)接器。外管包圍內(nèi)管。第一管轉(zhuǎn)接器連接到內(nèi)管和外管中的每一個(gè)的第一端,第一管轉(zhuǎn)接器將內(nèi)管連接到摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐。第二管轉(zhuǎn)接器連接到內(nèi)管和外管中的每一個(gè)的第二端,第二端在第一端對(duì)面,第二管轉(zhuǎn)接器將內(nèi)管連接到離子源單元。
依據(jù)本揭露的部分實(shí)施例,提供一種離子布植系統(tǒng),包含:離子布植機(jī)、摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐、摻雜劑源氣體供應(yīng)管和壓力感測(cè)器。離子布植機(jī)在殼體內(nèi)部,并且離子布植機(jī)包含離子源單元。摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐位于殼體外部的氣箱容器內(nèi)。摻雜劑源氣體供應(yīng)管用以將摻雜劑源氣體從摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐供應(yīng)到離子源單元,摻雜劑源氣體供應(yīng)管包含:內(nèi)管、外管、第一管轉(zhuǎn)接器和第二管轉(zhuǎn)接器。內(nèi)管用以運(yùn)送摻雜劑源氣體。外管包圍內(nèi)管并用以運(yùn)送惰性氣體。第一管轉(zhuǎn)接器連接到內(nèi)管和外管中的每一個(gè)的第一端,第一管轉(zhuǎn)接器將內(nèi)管連接到摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐。第二管轉(zhuǎn)接器連接到內(nèi)管和外管中的每一個(gè)的第二端,其中第二端在第一端對(duì)面,第二管轉(zhuǎn)接器將內(nèi)管連接到離子源單元。壓力感測(cè)器用以測(cè)量外管中惰性氣體的壓力水平。
依據(jù)本揭露的部分實(shí)施例,提供用于離子布植的氣體運(yùn)輸方法,包含:使用具有預(yù)定壓力的惰性氣體填充摻雜劑源氣體供應(yīng)管的外管;從摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐經(jīng)由摻雜劑源氣體供應(yīng)管的被外管包圍的內(nèi)管將摻雜劑源氣體供應(yīng)到離子布植機(jī)的離子源單元,其中離子布植機(jī)配置在殼體中,摻雜劑源氣體儲(chǔ)存罐配置在位于殼體外部的氣箱容器中;原位監(jiān)測(cè)惰性氣體的壓力;如果惰性氣體的壓力低于預(yù)定閾值,則確定摻雜劑源氣體供應(yīng)管的泄漏。
附圖說(shuō)明
當(dāng)結(jié)合附圖閱讀時(shí),根據(jù)以下的詳細(xì)描述可以最好地理解本揭露的各方面。應(yīng)理解,根據(jù)行業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐,各種特征未按比例繪制。實(shí)際上,為了討論的清楚,各種特征的尺寸可以任意地增加或減小。
圖1是根據(jù)部分實(shí)施例的離子布植系統(tǒng)的示意圖;
圖2A是根據(jù)部分實(shí)施例的在離子布植系統(tǒng)中,在摻雜劑源氣體供應(yīng)系統(tǒng)中使用的摻雜劑源氣體供應(yīng)管的透視圖;
圖2B是沿圖2A的線B-B’截取的摻雜劑源供應(yīng)管的橫截面圖;
圖3是根據(jù)部分實(shí)施例的用于將摻雜劑源氣體輸送到離子布植系統(tǒng)的離子布植機(jī)的方法的流程圖;
圖4是用于控制離子布植系統(tǒng)的操作的控制單元的方框圖。
【符號(hào)說(shuō)明】
100:離子布植系統(tǒng)
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司,未經(jīng)臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110088298.6/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 接收裝置以及接收方法、以及程序
- 凈水濾芯以及凈水裝置、以及洗漱臺(tái)
- 隱匿檢索系統(tǒng)以及公開參數(shù)生成裝置以及加密裝置以及用戶秘密密鑰生成裝置以及查詢發(fā)布裝置以及檢索裝置以及計(jì)算機(jī)程序以及隱匿檢索方法以及公開參數(shù)生成方法以及加密方法以及用戶秘密密鑰生成方法以及查詢發(fā)布方法以及檢索方法
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 編碼方法以及裝置、解碼方法以及裝置
- 圖片顯示方法以及裝置以及移動(dòng)終端
- ENB以及UEUL發(fā)送以及接收的方法
- X射線探測(cè)方法以及裝置以及系統(tǒng)
- 圖書信息錄入方法以及系統(tǒng)以及書架
- 護(hù)耳器以及口罩以及眼鏡





