[發明專利]包含具有經組合有源區域的標準單元的半導體裝置

在審

• 申請號: 202110086191.8
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN113161344A
• 公開（公告）日: 2021-07-23
• 發明（設計）人: 郭大鵬;古魯·普拉薩德
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 李春秀

本發明實施例涉及包含具有經組合有源區域的標準單元的半導體裝置。根據本發明的一些實施例，一種半導體裝置包含在行方向上延伸的第一電源軌及第二電源軌、延伸于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間的第三電源軌及第一單元。所述第一單元在垂直于所述行方向的列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間的節距。所述半導體裝置還包含布置于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間的第二單元。所述第二單元在所述列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間的節距。所述第一單元的第一有源區域包含大于所述第二單元中的第二有源區域在所述列方向上的第二寬度的所述列方向上的第一寬度。

技術領域

本發明實施涉及包含具有經組合有源區域的標準單元的半導體裝置。

背景技術

涉及半導體裝置的電子設備對許多現代應用來說是必不可少的。材料及設計的技術進步已產生數代半導體裝置，其中每一代包含比前代更小且更復雜的電路。在進步及創新的過程中，功能密度(即，每芯片面積的互連裝置的數目)一般已增大，而幾何大小(即，可使用制造工藝產生的最小組件)已減小。此類進步增加處理及制造半導體裝置的復雜性。半導體裝置的制造在小型化尺度上變得更復雜，且制造的復雜性增加會引起例如高良率損失、電互連可靠性降低及低測試覆蓋范圍的缺陷。因此，需要不斷修改電子設備中的裝置的結構及制造方法以提高裝置穩健性及減少制造成本及處理時間。

發明內容

根據本發明的實施例，一種半導體裝置包括：第一電源軌及第二電源軌，其在行方向上延伸；第三電源軌，其在所述行方向上延伸于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間；第一單元，其布置于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間，其中所述第一單元在垂直于所述行方向的列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間的節距；及第二單元，其布置于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間，其中所述第二單元在所述列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間的節距，其中所述第一單元的第一有源區域包含大于所述第二單元中的第二有源區域在所述列方向上的第二寬度的所述列方向上的第一寬度。

根據本發明的實施例，一種半導體裝置包括：多個第一電源軌，其在行方向上延伸且經配置以供應第一電壓；多個第二電源軌，其在所述行方向上延伸，與所述第一電源軌交替，且經配置以供應不同于所述第一電壓的第二電壓；及第一單元，其中所述第一單元在垂直于所述行方向的列方向上的單元高度等于兩個相鄰第一電源軌之間的距離，其中所述第一單元包含與所述兩個相鄰第一電源軌之間的所述第二電源軌中的一者重疊的第一有源區域。

根據本發明的實施例，一種制造半導體裝置的方法(圖7，700)包括：產生所述半導體裝置的設計數據702；提供包含第一單元SC3及第二單元SC1的標準單元庫704；及通過根據所述設計數據放置所述第一單元及所述第二單元中的至少一者來產生設計布局706，其中所述設計布局包括在行方向上延伸的第一電源軌及第二電源軌及在所述行方向上延伸于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間的第三電源軌，其中所述第一單元布置于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間，其中所述第一單元在垂直于所述行方向的列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間的節距，其中所述第二單元布置于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間，其中所述第二單元在所述列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間的節距，其中所述第一單元的第一有源區域包含大于所述第二單元中的第二有源區域在所述列方向上的第二寬度的所述列方向上的第一寬度。

附圖說明

從結合附圖閱讀的以下詳細描述最好地理解本發明實施例的方面。應注意，根據行業標準做法，各種構件未按比例繪制。實際上，為使討論清楚，可任意增大或減小各種構件的尺寸。

圖1是根據本發明的一些實施例的設計布局的示意圖。

圖2是根據本發明的一些實施例的設計布局的示意圖。

圖3是根據本發明的一些實施例的鰭式場效應晶體管(FinFET)裝置的透視圖。