[發明專利]包含具有經組合有源區域的標準單元的半導體裝置在審
| 申請號： | 202110086191.8 | 申請日： | 2021-01-22 |
| 公開（公告）號： | CN113161344A | 公開（公告）日： | 2021-07-23 |
| 發明（設計）人： | 郭大鵬;古魯·普拉薩德 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02;H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 中國臺灣新竹市*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 包含 具有 組合 有源 區域 標準 單元 半導體 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置，其包括：
第一電源軌及第二電源軌，其在行方向上延伸；
第三電源軌，其在所述行方向上延伸于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間；
第一單元，其布置于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間，其中所述第一單元在垂直于所述行方向的列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第二電源軌之間的節距；及
第二單元，其布置于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間，其中所述第二單元在所述列方向上的單元高度等于所述第一電源軌與所述第三電源軌之間的節距，
其中所述第一單元的第一有源區域包含大于所述第二單元中的第二有源區域在所述列方向上的第二寬度的所述列方向上的第一寬度。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
