[發明專利]半導體封裝裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110085896.8
• 申請日: 2021-01-22
• 公開（公告）號: CN112992803A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: 劉旭唐;蔡宗唐;王銘漢
• 申請（專利權）人: 日月光半導體制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/498;H01L23/18;H01L23/00
• 代理公司: 北京植德律師事務所 11780
• 代理人: 唐華東

1.一種半導體封裝裝置，包括：第一芯片、重布線層和緩沖層；

所述第一芯片通過導電凸塊固定設置在所述重布線層上；

所述緩沖層設置于所述第一芯片和所述重布線層之間，所述緩沖層的材料的楊氏系數小于底部填充膠材料的楊氏系數。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝裝置，其中，所述緩沖層設置于所述第一芯片的朝向所述重布線層的表面。

3.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置，其中，所述緩沖層至少部分包覆所述第一芯片的側面。

4.根據權利要求2所述的半導體封裝裝置，其中，所述緩沖層位于所述第一芯片的朝向所述重布線層的表面，所述導電凸塊部分位于所述緩沖層內。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體封裝裝置，其中，所述緩沖層和所述重布線層之間設置有底部填充膠。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的半導體封裝裝置，其中，所述半導體封裝裝置還包括第二芯片，所述第二芯片固定設置在所述重布線層上并位于所述第一芯片的同側。

7.根據權利要求6所述的半導體封裝裝置，其中，所述第二芯片的側面及主動表面設置有緩沖結構，所述緩沖結構與所述緩沖層的材料相同。

8.一種半導體封裝裝置的制造方法，包括：

將第一芯片放置于重布線層上；

通過回流焊方法，使所述第一芯片的導電凸塊與所述重布線層固定連接；

通過旋轉鍍膜方法，在所述第一芯片和所述重布線層之間填充緩沖材料；

通過加熱使所述緩沖材料固化形成緩沖層，以得到半導體封裝裝置，其中，所述緩沖層的材料的楊氏系數小于底部填充膠材料的楊氏系數。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述方法還包括：

將第二芯片放置于所述重布線層上，并與所述第一芯片位于同側；

通過所述回流焊方法，使所述第二芯片的導電凸塊與所述重布線層固定連接；

通過所述旋轉鍍膜方法，在所述第二芯片和所述重布線層之間填充所述緩沖材料。

10.一種半導體封裝裝置的制造方法，包括：

將第一芯片具有導電凸塊的表面設置緩沖材料，得到緩沖層；

通過回流焊方法，使所述第一芯片的導電凸塊與重布線層固定連接；

在所述第一芯片和所述重布線層之間填充底部填充材料，以得到半導體封裝裝置。