[發明專利]用于從表面去除薄膜的設備和方法在審
| 申請號: | 202110080089.7 | 申請日: | 2021-01-21 |
| 公開(公告)號: | CN113206017A | 公開(公告)日: | 2021-08-03 |
| 發明(設計)人: | 郝濟遠;托雷斯·帕特羅西尼奧·小·戈;柯定福;吳鍇;孔孟凱 | 申請(專利權)人: | 先進科技新加坡有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京申翔知識產權代理有限公司 11214 | 代理人: | 艾晶 |
| 地址: | 新加坡義*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 表面 去除 薄膜 設備 方法 | ||
在對位于模塑系統的第一模具和第二模具之間的襯底進行模塑之后,使用夾具組件在模塑期間將與襯底相接觸的使用過的離型膜從所述模塑系統中去除,當所述第一模具和所述第二模具打開時,所述夾具組件能夠在所述模塑系統外部的收縮位置與所述第一模具和所述第二模具之間的空間中的伸展位置之間往復移動。在致動器驅動所述夾具組件以夾持所述使用過的離型膜的一部分之前,其上安裝有所述夾具組件的托架機構朝著所述第一模具或所述第二模具移動所述夾具組件,直到所述夾具組件與所述使用過的離型膜相接觸為止。所述托架機構還將所述夾具組件從所述第一模具或所述第二模具移開,以便從所述模塑系統去除所述使用過的離型膜。
技術領域
本發明涉及一種用于在半導體器件的模塑工藝之后從表面,特別是模塑復合表面或模塑工具表面,去除薄膜的設備及方法。
背景技術
使用模塑材料封裝半導體器件以保護其中的半導體芯片不受外部環境的影響。封裝工藝可包括將半導體芯片安裝到支撐表面或襯底(例如晶片或引線框架)上,然后在半導體芯片周圍引入模塑材料(例如環氧樹脂)以形成模塑的半導體器件。
薄膜輔助模塑(FAM)是一種流行的半導體器件封裝工藝,該工藝使用離型膜來增強封裝工藝。圖1是用于執行FAM的常規模塑設備100的示意圖。模塑設備100包括頂模102和底模104,它們以閉合式構造夾持襯底106,從而形成模塑腔120。在模塑期間,將由模塑材料填充模塑腔120。半導體芯片108安裝在襯底106的上表面上,并且離型膜110覆蓋模塑腔120中頂模102的內表面。隨后,將模塑材料引入模塑腔120以包圍半導體芯片108。然后,固化模塑材料使其硬化,從而形成模塑半導體器件。
FAM的好處之一是,通過使用離型膜110覆蓋模塑腔120中頂模102的內表面,模塑材料不直接接觸模塑腔120中頂模102的內表面。因而,模塑材料不會污染頂模102的表面,從而避免在后續模塑步驟之前清洗或調節頂模102的內表面。此外,離型膜110包括彈性材料,其用于在封裝工藝期間緩沖模塑設備100中的各個部件,并用于更緊密地密封模塑腔120以提高模塑設備100的真空產生能力。
在封裝工藝之后,頂模102與底模104相互分離為開放式構造,此時可以將離型膜110粘附于模塑襯底106的模塑復合表面(如圖2A所示),或者粘附于頂模102的下表面(如圖2B所示)。從模塑襯底106的模塑復合表面或頂模102的下表面去除離型膜110的一種常規方法涉及在離型膜110與其所粘附的表面之間吹入氣流,以便將離型膜110從該表面分離。然而,當模塑材料粘性較高或如果模塑設備100相對較小時,該常規方法則無效。因此,需要提供一種更有效的方法,將離型膜110從其所粘附的表面去除。
發明內容
因此,本發明的目的是尋求提供一種用于在半導體器件模塑工藝之后從表面(例如,模塑復合表面或模塑工具的表面)去除離型膜的設備及方法。
因此,本發明提供了一種用于在對第一模具與第二模具之間的襯底進行模塑之后從模塑系統中去除使用過的離型膜的設備,所述模塑系統包括所述第一模具和所述第二模具,在模塑期間,所述襯底與所述使用過的離型膜相接觸,所述設備包括:夾具組件,當所述第一模具和所述第二模具打開并且所述模塑系統布置為開放式構造時,所述夾具組件能夠在所述模塑系統外部的收縮位置與所述第一模具和所述第二模具之間的空間中的伸展位置之間往復移動;托架機構,所述夾具組件安裝在所述托架機構上,所述托架機構能夠操作用于將所述夾具組件朝著所述第一模具或所述第二模具移動,直到所述夾具組件與所述使用過的離型膜相接觸為止;以及致動器,其用于驅動所述夾具組件以夾持所述使用過的離型膜的一部分;其中,所述托架機構還能夠操作用于在所述夾具組件夾持住所述使用過的離型膜的同時將所述夾具組件從所述第一模具或所述第二模具移開,從而從所述模塑系統去除所述使用過的離型膜。
通過說明書部分、所附權利要求書以及附圖,這些以及其他特征、方面和優點將得到更好的理解。
附圖說明
現在將參考附圖僅通過示例來描述本發明的實施例,其中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





