[發(fā)明專利]低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料及其制備方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110077928.X | 申請(qǐng)日: | 2021-01-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112811890A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 段冰;尚華;邵騰強(qiáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 宜賓紅星電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | C04B35/195 | 分類號(hào): | C04B35/195;C04B35/64 |
| 代理公司: | 成都虹橋?qū)@聞?wù)所(普通合伙) 51124 | 代理人: | 羅貴飛 |
| 地址: | 644000 四川*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 低溫 燒結(jié) 介電常數(shù) 微波 陶瓷材料 及其 制備 方法 | ||
1.低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料,其特征在于,其原料組分按質(zhì)量百分比為:2MgO-2Al2O3-5SiO275-95%,SiO21-8%,Yb2O31-8%,Ca2(OH)2CO33-15%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料,其特征在于,其原料組分按質(zhì)量百分比為:2MgO-2Al2O3-5SiO280-90%,SiO22-5%,Yb2O32-5%,Ca2(OH)2CO36-10%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料,其特征在于:介電常數(shù)εr為5.1-5.4,諧振頻率溫度系數(shù)τf為-26.7-(-24.2),Q*f值為10555-11341。
4.如權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
a.配料:將分析純的MgO、Al2O3、SiO2烘干后,按化學(xué)式2MgO-2Al2O3-5SiO2中的化學(xué)計(jì)量比稱取后球磨處理,得到混合物干粉;
b.預(yù)壓預(yù)燒:將步驟b得到的混合物干粉預(yù)壓成緊密的粉體,然后以1000-1150℃的溫度預(yù)燒2-10h后研磨過(guò)篩,得到2MgO-2Al2O3-5SiO2;
c.配料:根據(jù)低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的原料組分稱取SiO2、Yb2O3、Ca2(OH)2CO3和步驟b得到的2MgO-2Al2O3-5SiO2后混合,得到混合料;
d.預(yù)燒混合:將步驟c得到的混合料以800-950℃的溫度預(yù)燒2-10h后球磨處理,得到預(yù)燒干粉;
e.造粒成型:將步驟d得到的預(yù)燒干粉造粒,然后干壓成型,得到素坯;
f.排膠:將步驟e得到的素坯排膠處理,得到成型素坯;
g.燒結(jié):將步驟f得到的成型素坯置于承燒板上,用步驟d得到的預(yù)燒干粉覆蓋成型素坯,然后用坩堝蓋于上方,將承燒板放入燒結(jié)爐中以1-5℃/min的升溫速率升溫至1100-1170℃,保溫2-10h后隨爐自然冷卻得到低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的制備方法,其特征在于:步驟a和d中,球磨處理指在乙醇中以ZrO2球?yàn)槊浇樾行乔蚰?4-48h,再烘干。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的制備方法,其特征在于:步驟e中,造粒使用預(yù)燒干粉質(zhì)量的5%-12%的聚乙烯醇溶液,所述聚乙烯醇溶液溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%-10%。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的制備方法,其特征在于:步驟a中,烘干溫度為120-150℃,烘干時(shí)間為5-10h。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的制備方法,其特征在于:步驟f中,排膠處理指以1-3℃/min的升溫速率升溫至500-650℃,保溫2-5h后隨爐自然冷卻。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的制備方法,其特征在于:步驟b中,預(yù)壓壓力為100-300Mpa。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫?zé)Y(jié)低介電常數(shù)微波陶瓷材料的制備方法,其特征在于:步驟e中,干壓成型壓力為100-300Mpa。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于宜賓紅星電子有限公司,未經(jīng)宜賓紅星電子有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110077928.X/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種激光燒結(jié)設(shè)備及燒結(jié)方法
- 一種激光燒結(jié)設(shè)備
- 一種帶有小燒結(jié)口的燒結(jié)烘箱
- 一種LED燈的銀膠燒結(jié)烘箱
- 一種帶有小燒結(jié)口的燒結(jié)烘箱
- 一種基于材料基因的燒結(jié)礦燒結(jié)模型確定方法和系統(tǒng)
- 一種利用燒結(jié)杯進(jìn)行鐵礦粉燒結(jié)實(shí)驗(yàn)的實(shí)驗(yàn)方法
- 一種鋰電池三元單晶正極材料燒結(jié)容器
- 一種制備燒結(jié)陶瓷透水磚用燒結(jié)窯爐
- 一種燒結(jié)煙氣循環(huán)方法以及燒結(jié)煙氣循環(huán)系統(tǒng)





