[發明專利]一種FDSOI器件的標準單元庫在審
| 申請號： | 202110076200.5 | 申請日： | 2021-01-20 |
| 公開（公告）號： | CN112951844A | 公開（公告）日： | 2021-06-11 |
| 發明（設計）人： | 楊展悌;蘇炳熏;葉甜春;羅軍;趙杰;王云 | 申請（專利權）人： | 廣東省大灣區集成電路與系統應用研究院;澳芯集成電路技術（廣東）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京辰權知識產權代理有限公司 11619 | 代理人： | 金銘 |
| 地址： | 510535 廣東省廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 fdsoi 器件 標準 單元 | ||
1.一種FDSOI器件的標準單元庫，其包括一個以上的標準單元，其特征在于：各標準單元的高度相同，所述標準單元由FDSOI器件組成，FDSOI器件包括背柵，所述背柵用于施加電壓以調節FDSOI器件的閾值電壓，以調節各標準單元的運行速度和漏電流。
2.根據權利要求1所述的標準單元庫，其特征在于：所述各標準單元的高度為各納米尺寸工藝中的標準適中高度。
3.根據權利要求1所述的標準單元庫，其特征在于：每個標準單元由2個以上的FDSOI晶體管組成。
4.根據權利要求1所述的標準單元庫，其特征在于：FDSOI器件的閾值電壓為RVT。
5.根據權利要求1所述的標準單元庫，其特征在于：施加電壓包括正向偏壓和反向偏壓。
6.一種提高標準單元庫運行速度的方法，其特征在于：所述標準單元庫包括一個以上的標準單元，各標準單元的高度相同，所述標準單元由FDSOI器件組成，FDSOI器件包括背柵，對所述背柵施加正向背壓，降低標準單元的閾值電壓，提高運行速度。
7.一種減小標準單元庫漏電流的方法，其特征在于：所述標準單元庫包括一個以上的標準單元，各標準單元的高度相同，所述標準單元由FDSOI器件組成，FDSOI器件包括背柵，對所述背柵施加反向偏壓，升高標準單元的閾值電壓，減小漏電流。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
