[發明專利]一種氣相沉積鍍膜系統有效
| 申請號: | 202110075451.1 | 申請日: | 2021-01-20 |
| 公開(公告)號: | CN112921306B | 公開(公告)日: | 2023-04-11 |
| 發明(設計)人: | 鄧必龍;張向東 | 申請(專利權)人: | 龍鱗(深圳)新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/509 | 分類號: | C23C16/509;C23C16/458 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 潘登 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市坪山區坪山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 沉積 鍍膜 系統 | ||
本發明涉及氣相沉積技術領域,尤其涉及一種氣相沉積鍍膜系統,其包括第一電極組件,沿豎直方向設置;多個第二電極組件,沿豎直方向設置,且多個所述第二電極組件繞所述第一電極組件的周向間隔設置;治具,設置在所述第一電極組件和所述第二電極組件之間,在所述治具上插設有與所述治具相垂直的托盤,所述托盤上用于盛放待鍍膜的工件;公轉組件,用于驅動所述治具繞所述第一電極組件的中心轉動;自轉組件,與所述治具傳動連接,用于驅動所述治具繞自身軸線轉動。本發明能夠保證成膜的均勻性,同時治具上的托盤便于拆裝。
技術領域
本發明涉及氣相沉積技術領域,尤其涉及一種氣相沉積鍍膜系統。
背景技術
微觀粒子種類很多,如電子、中子、質子、離子、分子等,在現代材料涂層、物理化學氣相沉積技術絕大部分用這些微觀粒子本質特性來完成的。該技術在材料表面改性和納米材料及半導體行業非常實用,也獲得了不少防水、耐磨、微處理器、數據儲存器、刻蝕出的成品。真空鍍膜制備大部分應用輝光放電原理,可以做化學清洗工藝,可以做鍍膜沉積工藝。真空等離子增強化學氣相沉積鍍膜工藝一般在真空環境中安置一組或多組極板連接射頻電源,在引入氦氣起輝放電來完成的。由于獲得真空難易程度和穩定壓強難易程度反應腔都比較緊湊。尤其是旋轉平臺上的工件安放裝置,尤為講究。
在傳統氣相沉積制備工件的治具主要針對固定的工件架或機構用的,由于固定式反應倉真空壓強梯度性、微觀粒子流動導向性和等離子起輝位置對稱性嚴重影響成膜均勻性,而且在后續維護的過程中固定工件的治具上的托盤不能單獨拆卸。
因此,需要一種氣相沉積鍍膜系統來解決上述技術問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種氣相沉積鍍膜系統,能夠保證成膜的均勻性,同時治具上的托盤便于拆裝。
為達此目的,本發明采用以下技術方案:
一種氣相沉積鍍膜系統,包括:
第一電極組件,沿豎直方向設置;
多個第二電極組件,沿豎直方向設置,且多個所述第二電極組件繞所述第一電極組件的周向間隔設置;
治具,設置在所述第一電極組件和所述第二電極組件之間,在所述治具上插設有與所述治具相垂直的托盤,所述托盤用于盛放待鍍膜的工件;
公轉組件,用于驅動所述治具繞所述第一電極組件的中心轉動;
自轉組件,與所述治具傳動連接,用于驅動所述治具繞自身軸線轉動。
進一步地,所述第一電極組件包括:電極軸、第一射頻電極片和第一接地電極片;
所述電極軸沿豎直方向設置,所述第一射頻電極片和所述第一接地電極片相互平行且均垂直于所述電極軸,且間隔交錯設置在所述電極軸上,所述第一射頻電極片與第一射頻電源電連接,所述第一接地電極片與所述第一射頻電極片相互絕緣。
進一步地,所述第二電極組件包括固定架、第二射頻電極片和第二接地電極片;
所述固定架沿豎直方向設置,所述第二射頻電極片和所述第二接地電極片相互平行且均垂直于所述電極軸,且間隔交錯設置在所述固定架上,所述第二射頻電極片與第二射頻電源電連接,所述第二接地電極片與所述第二射頻電極片相互絕緣,所述第一射頻電極片與所述第二射頻電極片處于同一高度,所述第一接地電極片與所述第二接地電極片處于同一高度。
進一步地,所述公轉組件包括公轉主動齒輪和公轉從動齒輪,所述公轉主動齒輪與所述公轉從動齒輪相嚙合,所述公轉從動齒輪轉動設置在所述電極軸上,所述治具轉動設置在所述公轉從動齒輪上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





