[發明專利]顯示面板及顯示面板的制備方法

有效

• 申請號: 202110074185.0
• 申請日: 2021-01-20
• 公開（公告）號: CN112909200B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 胡小波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

本發明公開了一種顯示面板及顯示面板的制備方法，所述顯示面板包括：基底層，包括顯示區和圍繞所述顯示區設置的非顯示區；鈍化層，設置于所述基底層的一側且形成有第一開口，所述第一開口位于所述非顯示區內；第一電極層，設置于所述鈍化層的第一開口中靠近所述基底層的一側；第二電極層，設置于所述第一電極層遠離所述基底層的一側表面上；其中，所述第二電極層包括第二電極，所述第二電極的材料包括銦鎵錫氧化物、銦鎵鋅錫氧化物和鎵錫氧化物中的至少一種。本發明通過設置所述第二電極層，防止所述第一電極層與氧氣接觸發生氧化反應，同時將銀電極蝕刻掉，也避免了銀電極發生氧化反應，進而提高了顯示面板的可靠性和產品質量。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種顯示面板及顯示面板的制備方法。

背景技術

目前OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極管)顯示技術發展突飛猛進，OLED產品由于具有輕薄、響應快、廣視角、高對比度、可彎折等優點，受到了越來越多的關注和應用，主要應用在手機、平板、電視等顯示領域。

在頂發射的OLED結構中，常用ITO(Indium Tin Oxide，銦錫氧化物)/Ag(銀)/ITO復合膜層可以做為反射層和陽極電極層；ITO/Ag/ITO連接OLED發光器件結構；在背板的COF(Chip On Film，將集成電路綁定于柔性電路板上)bonding(綁定)區，露出的綁定區金屬線圖案和柵極或源漏極為同一道光罩制備；如果采用的是Cu(銅)制程，則綁定區的Cu膜暴露在外，為避免Cu膜被后制程氧化，將ITO/Ag/ITO覆蓋在綁定區的Cu膜上方保護。

如圖1所示，圖1為現有技術中顯示面板的結構示意圖。在實際制程中，ITO/Ag/ITO在蝕刻后形成斜面，斜面處的Ag暴露在外，而Ag化學性質活潑，極易被氧化，在整個OLED器件制備完成后，綁定區金屬線邊緣ITO/Ag/ITO斜面處的Ag被氧化，且隨著時間推移逐漸惡化，當惡化到一定程度，導致綁定區不牢固、接觸電阻變大等問題，影響OLED背板可靠性。

綜上所述，現有技術中存在綁定區金屬線的銀電極容易被氧化和腐蝕，從而導致綁定區不牢固，接觸電阻變大，進而降低OLED背板可靠性的技術問題。

發明內容

本發明實施例提供一種顯示面板及顯示面板的制備方法，用于解決現有技術中存在的綁定區金屬線的銀電極容易被氧化和腐蝕，從而導致綁定區不牢固，接觸電阻變大，進而降低OLED背板可靠性等技術問題。

為解決上述問題，第一方面，本發明提供一種顯示面板，其中，包括：

基底層，包括顯示區和圍繞所述顯示區設置的非顯示區；

鈍化層，設置于所述基底層的一側且形成有第一開口，所述第一開口位于所述非顯示區內；

第一電極層，設置于所述鈍化層的第一開口中靠近所述基底層的一側；

第二電極層，設置于所述第一電極層遠離所述基底層的一側表面上；

其中，所述第二電極層包括第二電極，所述第二電極的材料包括銦鎵錫氧化物、銦鎵鋅錫氧化物和鎵錫氧化物中的至少一種。

在本發明的一些實施例中，所述第一電極層包括第一電極和阻隔層，所述第一電極設置于所述阻隔層遠離所述基底層的一側表面上且與所述第二電極層接觸，所述第一電極的材料包括銅，所述阻隔層的材料包括鉬、鈦中的一種或者鉬鈦合金。

在本發明的一些實施例中，所述第一電極層的上表面低于所述鈍化層的上表面，部分所述第二電極層填充于所述鈍化層的第一開口內。

在本發明的一些實施例中，還包括緩沖層、層間介質層、平坦化層和像素定義層，所述緩沖層設置于所述基底層上，所述層間介質層設置于所述緩沖層與所述鈍化層之間，所述平坦化層和所述像素定義層依次層疊于所述鈍化層上。