[發明專利]顯示面板及顯示面板的制備方法

有效

• 申請號: 202110074185.0
• 申請日: 2021-01-20
• 公開（公告）號: CN112909200B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發明（設計）人: 胡小波
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 遠明

1.一種顯示面板，其特征在于，包括：

基底層，包括顯示區和圍繞所述顯示區設置的非顯示區；

鈍化層，設置于所述基底層的一側且形成有第一開口，所述第一開口位于所述非顯示區內；

第一電極層，設置于所述鈍化層的第一開口中靠近所述基底層的一側；

第二電極層，設置于所述第一電極層遠離所述基底層的一側表面上；

其中，所述第二電極層包括第二電極，所述第二電極的材料包括銦鎵錫氧化物、銦鎵鋅錫氧化物和鎵錫氧化物中的至少一種；所述第二電極為微晶結構。

2.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電極層包括第一電極和阻隔層，所述第一電極設置于所述阻隔層遠離所述基底層的一側表面上且與所述第二電極層接觸，所述第一電極的材料包括銅，所述阻隔層的材料包括鉬、鈦中的一種或者鉬鈦合金。

3.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，所述第一電極層的上表面低于所述鈍化層的上表面，部分所述第二電極層填充于所述鈍化層的第一開口內。

4.根據權利要求1所述的顯示面板，其特征在于，還包括緩沖層、層間介質層、平坦化層和像素定義層，所述緩沖層設置于所述基底層上，所述層間介質層設置于所述緩沖層與所述鈍化層之間，所述平坦化層和所述像素定義層依次層疊于所述鈍化層上。

5.根據權利要求4所述的顯示面板，其特征在于，所述鈍化層和所述平坦化層中還開設有第二開口，所述第二開口位于所述顯示區內，所述顯示面板還包括第三電極層，所述第三電極層填充于所述第二開口中且覆蓋部分所述平坦化層表面，所述第三電極層包括從下到上依次層疊的第三電極、銀電極和銦錫氧化物電極，所述第三電極的材料包括所述銦鎵錫氧化物、所述銦鎵鋅錫氧化物和所述鎵錫氧化物電極中的至少一種。

6.一種顯示面板的制備方法，其特征在于，包括：

提供一基底層，在所述基底層上依次制備緩沖層、層間介質層、鈍化層和平坦化層，所述鈍化層中形成第一開口；

在所述鈍化層的第一開口中制備第一電極層；

在所述第一電極層上制備第二電極層；

其中，所述第二電極層包括第二電極，所述第二電極的材料包括銦鎵錫氧化物、銦鎵鋅錫氧化物和鎵錫氧化物中的至少一種；所述第二電極為微晶結構。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，在制備所述第二電極層的步驟中還包括：在所述第一開口和所述鈍化層表面依次制備的第二電極、銀電極和銦錫氧化物電極；

在所述銦錫氧化物電極上制備第一光阻層，蝕刻處理未被所述第一光阻層覆蓋的所述第二電極、所述銀電極和所述銦錫氧化物電極；

灰化處理所述第一光阻層，蝕刻處理所述第一開口上方的所述銀電極、所述銦錫氧化物電極。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，還包括制備第三電極層的步驟：在所述鈍化層和所述平坦化層中開設第二開口，在所述第二開口中和所述平坦化層表面制備第三電極、銀電極和銦錫氧化物電極；

在所述銦錫氧化物電極上制備第二光阻層，蝕刻處理未被所述第二光阻層覆蓋的所述第三電極、所述銀電極和所述銦錫氧化物電極；

剝離所述第二光阻層；

其中，所述第三電極的材料與所述第二電極的材料相同。

9.根據權利要求7或者8所述的制備方法，其特征在于，采用第一光罩制程分別在所述第一開口中制備所述第二電極、所述銀電極和所述銦錫氧化物電極，以及在第二開口中制備第三電極、所述銀電極和所述銦錫氧化物電極；

采用第二光罩制程分別在所述第一開口的銦錫氧化物電極上制備第一光阻層，以及在所述第二開口的銦錫氧化物電極上制備第二光阻層。

10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，利用半透膜光罩制備所述第一光阻層和所述第二光阻層，所述第一光阻層的厚度小于所述第二光阻層的厚度。