[發明專利]防水氣壓計加工工藝和防水氣壓計在審
| 申請號: | 202110073302.1 | 申請日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN112811387A | 公開(公告)日: | 2021-05-18 |
| 發明(設計)人: | 馬貴華;肖國慶 | 申請(專利權)人: | 濰坊歌爾微電子有限公司 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02;G01L11/00;G01L19/00 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 梁馨怡 |
| 地址: | 261000 山東省濰坊市濰坊高新區新*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 防水 氣壓計 加工 工藝 | ||
1.一種防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述防水氣壓計加工工藝包括:
在基板上形成有多個封裝區和多個連接筋,每一所述連接筋連接相鄰兩個所述封裝區;
將多個芯片分別貼裝于多個所述封裝區;
將金線連接于每一所述芯片和所述封裝區;
將多個外殼分別貼裝于多個所述封裝區,每一所述外殼與一所述封裝區圍合形成容納腔,以使所述芯片和所述金線容納于所述容納腔內;
通過沖裁方式切割所述連接筋,以形成多個防水氣壓計。
2.如權利要求1所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述在基板上形成有多個封裝區和多個連接筋,每一所述連接筋連接相鄰兩個所述封裝區的步驟包括:
提供整塊基板;
通過沖裁或切割方式加工所述基板,在所述基板上形成呈整列排布的多個所述封裝區以及連接相鄰兩個所述封裝區的所述連接筋。
3.如權利要求2所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,每一所述封裝區呈方形設置,每一所述連接筋呈條形設置;
且/或,每一所述連接筋的寬度小于每一所述封裝區的寬度;
且/或,相鄰四個所述封裝區之間形成有一鏤空區。
4.如權利要求1所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述將多個芯片分別貼裝于多個所述封裝區的步驟包括:
將多個ASIC芯片分別貼裝于多個所述封裝區;
將多個MEMS芯片分別貼裝于多個所述ASIC芯片背離所述封裝區的一側。
5.如權利要求4所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述將多個ASIC芯片分別貼裝于多個所述封裝區的步驟包括:
通過劃膠設備在每一所述封裝區涂覆黏膠;
將每一所述ASIC芯片粘貼于所述黏膠背向所述封裝區的一側;
通過烘烤固化所述黏膠,以使所述ASIC芯片貼裝于所述封裝區。
6.如權利要求4所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述將多個MEMS芯片分別貼裝于多個所述ASIC芯片背離所述封裝區的一側的步驟包括:
通過劃膠設備在每一所述ASIC芯片背向所述封裝區的一側涂覆黏膠;
將每一所述MEMS芯片粘貼于所述黏膠背向所述ASIC芯片的一側;
通過烘烤固化所述黏膠,以使所述MEMS芯片貼裝于所述ASIC芯片背離所述封裝區的一側。
7.如權利要求4所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述將金線連接于每一所述芯片和一所述封裝區的步驟包括:
通過金絲球焊接設備將金線連接每一所述ASIC芯片和所述封裝區,以使所述ASIC芯片與所述基板電連接;
通過金絲球焊接設備將金線連接每一所述MEMS芯片和所述ASIC芯片,以使所述MEMS芯片和所述ASIC芯片電連接。
8.如權利要求1至7中任一項所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述外殼具有連通所述容納腔的開口,所述通過沖裁方式切割所述連接筋,以形成多個防水氣壓計的步驟之前,還包括:
通過所述開口向所述容納腔內填充防水膠,以使所述防水膠覆蓋所述芯片和所述金線。
9.如權利要求1至7中任一項所述的防水氣壓計加工工藝,其特征在于,所述將多個外殼分別貼裝于多個所述封裝區,每一所述外殼與一所述封裝區圍合形成容納腔,以使所述芯片和所述金線容納于所述容納腔內的步驟包括:
將錫膏點涂在每一所述封裝區四周的銅箔上;
將每一所述外殼的四周對應所述錫膏貼在所述封裝區,并通過回流焊融化所述錫膏,使所述外殼與所述基板焊接。
10.一種防水氣壓計,其特征在于,所述防水氣壓計采用如權利要求1至9中任一項所述的防水氣壓計加工工藝制作而成。
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