[發(fā)明專利]一種硅片清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110072089.2
• 申請日: 2021-01-20
• 公開（公告）號: CN112387647B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發(fā)明（設計）人: 錢誠;李剛;周志勇
• 申請（專利權）人: 常州江蘇大學工程技術研究院;江蘇亞電科技有限公司
• 主分類號: B08B1/00
• 分類號: B08B1/00;B08B3/02;B08B13/00;H01L21/67;F26B5/14
• 代理公司: 蕪湖市昌強專利代理事務所(特殊普通合伙) 34203
• 代理人: 張宇江

一種硅片清洗方法，包括：將硅片依次插入齒桿上相鄰兩夾緊齒之間，以使硅片支撐在各支撐桿上；將安裝好硅片后的花籃主體放至清洗池的池底；推動端板沿滑軌向推塊滑動至三個支撐桿分別與推動面接觸后，打開噴淋；繼續(xù)推動端板使得推塊推動支撐桿沿滑動槽由高處滑動至低處，并壓縮撐開彈簧，以使硅片向支撐桿跌落并露出硅片與夾緊齒夾緊的區(qū)域，進行清洗，從而提高了整個硅片的清洗效果；在清洗完成后，推塊松開支撐桿，支撐桿在撐開彈簧的回彈力作用下推動硅片插回至兩夾緊齒之間，并通過回彈力保證各硅片排列整齊。

技術領域

本發(fā)明涉及硅片清洗的技術領域，尤其涉及一種硅片清洗方法。

背景技術

中國專利，申請?zhí)枮镃N201811244464.1，申請日為2018.10.24，授權公告號為CN109461791B，授權公告日為2020.08.25，提供了一種單晶硅片的制絨方法，主要包括：將單晶硅片兩兩相并成一組插入花籃內，再將盛載有單晶硅片的花籃放入制絨液，進行刻蝕反應；再將刻蝕完成的單晶硅片與花籃取出，依次進行高溫清洗與低溫清洗；低溫清洗后的單晶硅片再進行分片；并經(jīng)后續(xù)清洗與干燥，得到一面具有金字塔狀絨面結構的單晶硅片。該制絨方法中高溫清洗過程中，高溫清洗液可促使貼合在一起的單晶硅片分離，有效清洗單晶硅片間的殘留藥液及反應產(chǎn)物；低溫清洗時，兩兩一組的單晶硅片相互貼合，以使得兩兩一組的兩片單晶硅片之間留存一定水分，即使得兩兩一組的單晶硅片實現(xiàn)“外干內濕”的效果，利于分片。

其中，雖然該方法能夠將單晶硅片兩兩相并成一組插入花籃內，再將盛載有單晶硅片的花籃放入制絨液，但是這樣的方式來清洗硅片清洗不完全，在硅片與花籃的插接位置無法進行很好的清洗。

因此，需要設計一種完全清洗的硅片清洗方法。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提供一種硅片清洗方法。

為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種硅片清洗方法，包括：將硅片依次插入齒桿上相鄰兩夾緊齒之間，以使硅片支撐在各支撐桿上；將安裝好硅片后的花籃主體放至清洗池的池底；端板沿滑軌向推塊滑動至三個支撐桿分別與推動面接觸后，打開噴淋；繼續(xù)推動端板使得推塊推動支撐桿沿滑動槽由高處滑動至低處，并壓縮撐開彈簧，以使硅片向支撐桿跌落并露出硅片與夾緊齒夾緊的區(qū)域；松開端板，撐開彈簧回彈，支撐桿推動各硅片整齊插回各夾緊齒之間。

進一步地，在花籃主體放至清洗池的池底后，通過推動電機實現(xiàn)端板的推動；在硅片清洗完成后，通過推動電機實現(xiàn)端板的松開。

進一步地，在三個支撐桿分別與推動面接觸后，通過噴頭噴出清洗液以噴淋硅片。

進一步地，在花籃主體置于清洗池的池底后，在兩端板之間安裝安裝板；在噴頭打開后，將安裝板轉動至蓋合在硅片上；噴頭噴出的清洗液收集在集水槽內并壓迫刮板分別刮除兩側硅片表面的污漬。

進一步地，集水槽內收集足夠清洗液后，刮板下降，通過刷頭貼合硅片表面并刷除硅片表面的污漬；集水槽內的清洗液排空后，刮板上升，通過刮條貼合硅片表面并刮除硅片表面的水漬。

進一步地，在關閉噴頭后，通過溢水孔排空所述集水槽內的清洗液。

進一步地，刮條刮除硅片表面的水漬后，通過刮條將清洗液導入疏水槽內；再通過疏水槽將清洗液從刮板的兩側排出。

進一步地，在花籃主體放至清洗池的池底后，通過聯(lián)動片插入轉軸，以使安裝板轉動；在安裝板打開后，通過第二限位塊支撐安裝板；在安裝板蓋合在硅片上后，通過第一限位塊支撐安裝板。

進一步地，支撐桿沿滑動槽由高處向低處滑動時，支撐桿推動右側的擋板，以使安裝板蓋合在硅片上；支撐桿沿滑動槽由低處向高處滑動時，支撐桿推動左側的擋板，以使安裝板打開。