[發(fā)明專利]全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110070630.6
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112768514B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發(fā)明（設計）人: 詹智穎
• 申請（專利權）人: 泉芯集成電路制造(濟南)有限公司
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 嚴誠

1.一種全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管，其特征在于，所述全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管包括：

基底(110)；

至少兩個器件單元(120)，依次重疊設置在所述基底(110)上，所述器件單元(120)上開設有垂直于所述基底(110)的過孔(125)，所述過孔(125)貫穿全部所述器件單元(120)；

閘極(130)，設置在所述過孔(125)內、并與全部所述器件單元(120)連接；

其中，所述器件單元(120)包括：

隔絕層(121)，設置在所述基底(110)上；

汲極層(122)，設置在所述隔絕層(121)上；

阱層(123)，設置在所述汲極層(122)上；

源極層(124)，設置在所述阱層(123)上。

2.根據(jù)權利要求1所述的全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管，其特征在于，所述閘極(130)包括：

納米線(131)；

氧化層(132)，包裹在所述納米線(131)的外周面。

3.根據(jù)權利要求2所述的全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管，其特征在于，所述氧化層(132)為二氧化硅。

4.根據(jù)權利要求1所述的全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管，其特征在于，所述過孔(125)的數(shù)量為多個，多個所述過孔(125)間隔排布。

5.一種全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管的制備方法，其特征在于，所述全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管的制備方法包括：

在基底(110)上形成至少兩個依次重疊設置的器件單元(120)；

在所述器件單元(120)上開設垂直于所述基底(110)的過孔(125)，所述過孔(125)貫穿全部所述器件單元(120)，包括：在所述基底(110)上形成隔絕層(121)；在所述隔絕層(121)上形成汲極層(122)；在所述汲極層(122)上形成阱層(123)；在所述阱層(123)上形成源極層(124)；

在所述過孔(125)內形成閘極(130)，所述閘極(130)與全部所述器件單元(120)連接。

6.根據(jù)權利要求5所述的全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述過孔(125)內形成閘極(130)的步驟包括：

在所述過孔(125)內形成氧化層(132)；

在所述過孔(125)內形成納米線(131)，使所述氧化層(132)包裹在所述納米線(131)的外周面。

7.根據(jù)權利要求6所述的全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管的制備方法，其特征在于，所述氧化層(132)采用二氧化硅形成。

8.根據(jù)權利要求5所述的全環(huán)繞閘極垂直貫穿式晶體管的制備方法，其特征在于，所述在所述器件單元(120)上開設垂直于所述基底(110)的過孔(125)的步驟包括：

采用曝光顯影技術形成所述過孔(125)。