[發明專利]一種芯片集成電路封裝及其制造方法有效
| 申請號: | 202110070325.7 | 申請日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN112885727B | 公開(公告)日: | 2022-04-29 |
| 發明(設計)人: | 侯新飛;崔文杰 | 申請(專利權)人: | 廣西桂芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31 |
| 代理公司: | 深圳市中科創為專利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭南彪;彭西洋 |
| 地址: | 530000 廣西壯族自治區南寧市*** | 國省代碼: | 廣西;45 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 集成電路 封裝 及其 制造 方法 | ||
本發明提供了一種芯片集成電路封裝及其制造方法。本發明利用可激光活化有機物層和塑封層形成密封結構,摒棄了傳統的基板或引線框封裝,可以實現薄型化。可以極為簡便的形成彎曲型封裝或豎直封裝結構,并且可以保證彎曲處的電連接的可靠性。可激光活化有機物層的基體材料與塑封層材料選擇為相同的材料,可以保證兩者之間的粘合力以提高塑封效果,且可以使得活化的金屬進入塑封層內,保證活化金屬與塑封層的粘附力。
技術領域
本發明涉及半導體封裝技術領域,具體涉及一種芯片集成電路封裝及其制造方法。
背景技術
COB結構或引線框結構是半導體封裝領域所常用的結構,其通過將芯片固定于電路板或引線框上并進行電連接,實現芯片的電路板或引線框上集成,該種結構是不利于薄型化和輕量化的,同時也不便于制造折彎型的封裝結構。對于芯片集成電路封裝而言,由于芯片尤其是功率芯片在其工作時,會產生大量的熱輻射,其熱阻系數較高,不利于散熱。現有技術中,有利用金屬鍍層作為外部連接端而將芯片直接塑封,此時可以實現薄型化,但是金屬鍍層與塑封層的粘合力不夠,且會造成污染。
發明內容
基于解決上述問題,本發明提供了一種芯片集成電路封裝的制造方法,其包括以下步驟:
(1)提供第一模具,所述第一模具具有一空腔,所述空腔包括水平的底壁和兩個相對且豎直的側壁,所述底壁與所述側壁倒角連接;
(2)在所述底壁和側壁上涂覆可激光活化有機物形成一有機物層,所述有機物層包括水平的第一部分、豎直的第二部分和第三部分以及連接所述第一部分和第二部分的第一曲面連接部、連接所述第一部分和第二部分的第二曲面連接部;
(3)在所述第一至第三部分上分別固定第一芯片、第二芯片和第三芯片,并形成多個第一鍵合線、多個第二鍵合線和多個第三鍵合線,所述第一至第三鍵合線的一端分別鍵合至所述第一至第三芯片上,所述第一至第三鍵合線的另一端鍵合至所述有機物層上;
(4)提供第二模具,并使得第二模具與第一模具之間形成塑封腔,所述塑封腔容納所述第一至第三芯片以及所述有機物層;
(5)在所述塑封腔內注塑形成塑封層并進行固化,所述塑封層密封所述第一至第三芯片以及第一至第三鍵合線;
(6)移除所述第一和第二模具以露出所述有機物層,利用激光照射所述第一至第三鍵合線的第二端位置處的所述有機物層,使得所述有機物層的可激光活化有機物被活化為金屬材料,以形成多個分別電連接至所述第一至第三鍵合線的第一焊盤、第二焊盤和第三焊盤;
(7)利用所述激光繼續照射所述有機物層,以在所述有機物層的所述第一曲面連接部上形成電連接所述第一焊盤和第二焊盤的第一導線,在所述有機物層的所述第二曲面連接部上形成電連接所述第一焊盤和第三焊盤的第二導線。
根據本實施例,所述可激光活化有機物包括基體材料和金屬絡合物材料,所述基體材料與所述塑封層的材料相同。
根據本實施例,所述金屬絡合物材料可以是具有可活化金屬材料的改性的聚丙烯(PPMID)或改性的聚對苯二甲酸丁二酯(PBTMID),其可以是銅的絡合物。
本發明還提供了一種芯片集成電路封裝,其由上述的制造方法形成。
本發明還提供了一種芯片集成電路封裝的制造方法,其包括以下步驟:
(1)提供平板狀的第一模具,在所述第一模具上涂覆可激光活化有機物形成一有機物層;
(2)在所述有機物層上間隔的固定第一芯片和第二芯片,并形成多個第一鍵合線和多個第二鍵合線,所述第一鍵合線和第二鍵合線的一端分別鍵合至所述第一芯片和第二芯片上,所述第一鍵合線和第二鍵合線的另一端鍵合至所述有機物層上;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣西桂芯半導體科技有限公司,未經廣西桂芯半導體科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110070325.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種智能功率芯片結構及其制造方法
- 下一篇:一種噴霧眼罩及其控制方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





