[發(fā)明專利]一種芯片集成電路封裝及其制造方法

有效

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• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112885727B
• 公開（公告）日: 2022-04-29
• 發(fā)明（設計）人: 侯新飛;崔文杰
• 申請（專利權）人: 廣西桂芯半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 深圳市中科創(chuàng)為專利代理有限公司 44384
• 代理人: 彭南彪;彭西洋

1.一種芯片集成電路封裝的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供第一模具，所述第一模具具有一空腔，所述空腔包括水平的底壁和兩個相對且豎直的側壁，所述底壁與所述側壁倒角連接；

(2)在所述底壁和側壁上涂覆可激光活化有機物形成一有機物層，所述有機物層包括水平的第一部分、豎直的第二部分和第三部分以及連接所述第一部分和第二部分的第一曲面連接部、連接所述第一部分和第三部分的第二曲面連接部；

(3)在所述第一至第三部分上分別固定第一芯片、第二芯片和第三芯片，并形成多個第一鍵合線、多個第二鍵合線和多個第三鍵合線，所述第一至第三鍵合線的一端分別鍵合至所述第一至第三芯片上，所述第一至第三鍵合線的另一端鍵合至所述有機物層上；

(4)提供第二模具，并使得第二模具與第一模具之間形成塑封腔，所述塑封腔容納所述第一至第三芯片以及所述有機物層；

(5)在所述塑封腔內注塑形成塑封層并進行固化，所述塑封層密封所述第一至第三芯片以及第一至第三鍵合線；

(6)移除所述第一和第二模具以露出所述有機物層，利用激光照射所述第一至第三鍵合線的第二端位置處的所述有機物層，使得所述有機物層的可激光活化有機物被活化為金屬材料，以形成多個分別電連接至所述第一至第三鍵合線的第一焊盤、第二焊盤和第三焊盤；

(7)利用所述激光繼續(xù)照射所述有機物層，以在所述有機物層的所述第一曲面連接部上形成電連接所述第一焊盤和第二焊盤的第一導線，在所述有機物層的所述第二曲面連接部上形成電連接所述第一焊盤和第三焊盤的第二導線。

2.根據(jù)權利要求1所述的芯片集成電路封裝的制造方法，其特征在于：

所述可激光活化有機物包括基體材料和金屬絡合物材料，所述基體材料與所述塑封層的材料相同。

3.根據(jù)權利要求2所述的芯片集成電路封裝的制造方法，其特征在于：

所述金屬絡合物材料為具有可活化金屬材料的改性的聚丙烯(PPMID)或改性的聚對苯二甲酸丁二酯(PBTMID)。

4.一種芯片集成電路封裝，其由權利要求1-3任一項所述的制造方法形成。

5.一種芯片集成電路封裝的制造方法，其包括以下步驟：

(1)提供平板狀的第一模具，在所述第一模具上涂覆可激光活化有機物形成一有機物層；

(2)在所述有機物層上間隔的固定第一芯片和第二芯片，并形成多個第一鍵合線和多個第二鍵合線，所述第一鍵合線和第二鍵合線的一端分別鍵合至所述第一芯片和第二芯片上，所述第一鍵合線和第二鍵合線的另一端鍵合至所述有機物層上；

(4)提供第二模具，使得第二模具與第一模具之間形成塑封腔，所述塑封腔容納所述第一芯片和第二芯片以及所述有機物層，并且所述第二模具的下表面具有一突起部，所述突起部位于所述第一芯片和第二芯片之間；

(5)在所述塑封腔內注塑形成塑封層并進行固化，所述塑封層密封所述第一芯片和第二芯片以及第一鍵合線和第二鍵合線，所述塑封層包括對應于所述突起部的凹槽，所述凹槽的橫截面呈等腰倒梯形，所述凹槽的側壁與底壁之間的夾角為鈍角；

(6)移除所述第一和第二模具以露出所述有機物層，利用激光照射所述第一鍵合線和第二鍵合線的第二端位置處的所述有機物層，使得所述有機物層的可激光活化有機物被活化為金屬材料，以形成多個分別電連接至所述第一鍵合線和第二鍵合線的第一焊盤和第二焊盤；

(7)利用所述激光繼續(xù)照射所述有機物層，以在所述有機物層中形成電連接所述第一焊盤和第二焊盤的導線；

(8)沿著所述凹槽進行彎折，以使得第一芯片和第二芯片呈一定的夾角。

6.根據(jù)權利要求5所述的芯片集成電路封裝的制造方法，其特征在于：

所述鈍角為120-150度。

7.根據(jù)權利要求5所述的芯片集成電路封裝的制造方法，其特征在于：

所述凹槽底部具有相對于其他位置處較薄的塑封層。

8.根據(jù)權利要求5所述的芯片集成電路封裝的制造方法，其特征在于：

在步驟(8)中，所述彎折同時使得所述導線形成一弧形結構。

9.一種芯片集成電路封裝，其由權利要求5-8任一項所述的制造方法形成。