[發明專利]銀納米線的蝕刻方法、透明導電電極及其制備方法有效
| 申請號： | 202110070255.5 | 申請日： | 2018-10-30 |
| 公開（公告）號： | CN112908520B | 公開（公告）日： | 2023-01-24 |
| 發明（設計）人： | 孟祥浩;顧楊;潘克菲;高緒彬 | 申請（專利權）人： | 蘇州諾菲納米科技有限公司 |
| 主分類號： | H01B5/14 | 分類號： | H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司： | 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 韓曉園 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業園*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 納米 蝕刻 方法 透明 導電 電極 及其 制備 | ||
本發明提供了一種納米銀蝕刻方法、透明導電電極及其制備方法。銀納米線的蝕刻方法為：采用激光蝕刻將銀納米線蝕刻成多個線段，激光蝕刻的激光波長介于380nm～1mm之間，激光功率為0.1W/cm2～20W/cm2。該蝕刻方法使得蝕刻前后的銀納米線的電學差異較大、光學性質差異較小，且在外觀上的視覺差異非常小，由其制備的顯示屏外觀基本一致。
技術領域
本發明涉及透明導電電極制備領域，尤其涉及一種蝕刻痕較淺的納米銀蝕刻方法、透明導電電極及其制備方法。
背景技術
在觸摸屏、光電、顯示屏等領域，透明導電膜主要使用的是金屬氧化物，如氧化銦錫(ITO)材料。然而ITO導電膜需要通過真空物理沉積及高溫退火工藝制備，所以制備以聚合物薄膜為基底的導電膜時，存在方阻較高的缺點。此外由于ITO材料在彎曲和外力影響下容易破碎損壞，所以也較難應用于柔性的設備中。
目前一種可替代ITO薄膜作為透明導電電極材料的產品是銀納米線導電薄膜，銀納米線導電薄膜可以通過涂布的方式制備，從制備工藝上可以不使用昂貴的真空設備，所以在成本上相比較于ITO產品有優勢。另外作為納米材料的銀納米線能夠被彎折，在柔性器件上的應用也占有優勢。所以在市場前景上，銀納米線薄膜具有取代ITO薄膜作為主要透明導電薄膜產品的潛質。
然而，在實際的應用領域，需要對銀納米線導電膜進行圖案化，目前的銀納米線薄膜存在蝕刻痕較深的缺點。蝕刻痕深的主要原因是銀作為金屬材料，存在著對光的散射及反射。當銀納米線薄膜被蝕刻后，蝕刻區與非蝕刻區對光的不同散射和反射會有差異。這種光學上的差異是可能由于蝕刻后銀納米線表面發生了化學反應，例如氧化和硫化，那么銀納米線表面的光學性質發生了改變。也有可能銀納米線直接被氧化成銀離子，造成銀納米線密度下降或線變細。
有鑒于此，有必要提供一種改進的納米銀蝕刻方法、透明導電電極及其制備方法，以解決上述問題。
發明內容
本發明的目的在于提供一種蝕刻痕較淺的納米銀蝕刻方法、透明導電電極及其制備方法。
為實現上述發明目的之一，本發明采用如下技術方案；
一種銀納米線的蝕刻方法，采用激光蝕刻將銀納米線蝕刻成多個線段，激光蝕刻的激光波長介于380nm～1mm之間，激光功率為0.1W/cm2～20W/cm2。
一種銀納米線的蝕刻方法，采用光照蝕刻將銀納米線蝕刻成多個線段，光照蝕刻的光照波長介于380nm～1mm之間，照射時長介于1分鐘～30分鐘之間。
一種銀納米線的蝕刻方法，采用高溫烘烤將銀納米線蝕刻成多個線段，所述高溫烘烤的溫度在100℃～170 ℃，處理時間在10分鐘～60分鐘之間。
進一步地，相鄰的兩段銀納米線之間的間距不大于200nm。
進一步地，相鄰的兩段銀納米線之間的間距不大于20nm。
一種透明導電電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
在基板上涂布銀納米線構成銀納米線導電膜；
將具有通孔的掩膜板置于所述銀納米線導電膜上方；
被所述掩膜板覆蓋的銀納米線構成第一區域；
采用上述銀納米線的蝕刻方法，將通過通孔向外暴露的銀納米線蝕刻成多個線段構成第二區域。
進一步地，被蝕刻前后銀納米線的數量變化不大于10％；
或，被蝕刻前后銀納米線的長度變化不大于5％；
或，被蝕刻前后銀納米線的直徑變化不大于5％；
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