[發明專利]銀納米線的蝕刻方法、透明導電電極及其制備方法

有效

• 申請號: 202110070255.5
• 申請日: 2018-10-30
• 公開（公告）號: CN112908520B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發明（設計）人: 孟祥浩;顧楊;潘克菲;高緒彬
• 申請（專利權）人: 蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

1.一種透明導電電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上涂布銀納米線構成銀納米線導電膜；

將具有通孔的掩膜板置于所述銀納米線導電膜上方；

被所述掩膜板覆蓋的銀納米線構成第一區域；

將通過通孔向外暴露的銀納米線蝕刻成多個線段構成第二區域；采用激光蝕刻將銀納米線蝕刻成多個線段，激光蝕刻的激光波長介于380nm~1mm之間，激光功率為0.1W/cm²~20W/cm²；相鄰的兩段銀納米線之間的間距不大于200nm；所述銀納米線在合成時包裹有一層保護層，同時存留有氧化電位較低的銀點，選擇第二區域的銀納米線上氧化還原電位更低的點作為切斷點。

2.一種透明導電電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上涂布銀納米線構成銀納米線導電膜；

將具有通孔的掩膜板置于所述銀納米線導電膜上方；

被所述掩膜板覆蓋的銀納米線構成第一區域；

將通過通孔向外暴露的銀納米線蝕刻成多個線段構成第二區域；采用光照蝕刻將銀納米線蝕刻成多個線段，光照蝕刻的光照波長介于380nm~1mm之間，照射時長介于1分鐘~30分鐘之間；相鄰的兩段銀納米線之間的間距不大于200nm；所述銀納米線在合成時包裹有一層保護層，同時存留有氧化電位較低的銀點，選擇第二區域的銀納米線上氧化還原電位更低的點作為切斷點。

3.一種透明導電電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在基板上涂布銀納米線構成銀納米線導電膜；

將具有通孔的掩膜板置于所述銀納米線導電膜上方；

被所述掩膜板覆蓋的銀納米線構成第一區域；

將通過通孔向外暴露的銀納米線蝕刻成多個線段構成第二區域；采用高溫烘烤將銀納米線蝕刻成多個線段，所述高溫烘烤的溫度在100℃~170℃，處理時間在10分鐘~60分鐘之間；相鄰的兩段銀納米線之間的間距不大于200nm；所述銀納米線在合成時包裹有一層保護層，同時存留有氧化電位較低的銀點，選擇第二區域的銀納米線上氧化還原電位更低的點作為切斷點。

4.如權利要求1~3任意一項所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于：相鄰的兩段銀納米線之間的間距不大于20nm。

5.如權利要求1~3任意一項所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，

被蝕刻前后銀納米線的數量變化不大于10%；

或，被蝕刻前后銀納米線的長度變化不大于5%；

或，被蝕刻前后銀納米線的直徑變化不大于5%；

或，第二區域的銀納米線導電膜在被蝕刻前后的電學差值不小于10^3Ω/□；

或，第二區域的銀納米線導電膜在被蝕刻前后的霧度差值為△H±1%；或第二區域的銀納米線導電膜在被蝕刻前后的透過率差值為△T±1%；或第二區域的銀納米線導電膜在被蝕刻前后的色度b*差值為△b*±1%。

6.如權利要求1~3任意一項所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，所述第二區域中，銀納米線存在多個切斷處，且不同的切斷處的間距相同或不同。

7.如權利要求1~3任意一項所述的透明導電電極的制備方法，其特征在于，還包括在所述銀納米線導電膜背離所述基板的一側制備基質，所述基質覆蓋所述銀納米線或半覆蓋所述銀納米線。

8.一種透明導電電極，其特征在于：由權利要求1~7任意一項所述的透明導電電極的制備方法制備所得。