[發明專利]一種用于QFN封裝器件L形焊接端子除金搪錫的方法有效
| 申請號： | 202110069254.9 | 申請日： | 2021-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN112820652B | 公開（公告）日： | 2023-08-22 |
| 發明（設計）人： | 彭文蕾;劉姚軍;胡猛;高燦輝;楊彬彬 | 申請（專利權）人： | 國營蕪湖機械廠 |
| 主分類號： | H01L21/48 | 分類號： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京匯信合知識產權代理有限公司 11335 | 代理人： | 王帥 |
| 地址： | 24100*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 qfn 封裝 器件 焊接 端子 金搪錫 方法 | ||
1.一種用于QFN封裝器件L形焊接端子除金搪錫的方法，其特征在于：包括：
S1、準備好未處理的元器件；
S2、除金搪錫鋼網設計：
a：設計制作QFN器件搪錫的工裝模具，具體包括卡箍、通過卡箍實現精密固定且完全對稱的左側鋼網和右側鋼網、設置在左側鋼網和右側鋼網上的托盤；左側鋼網和右側鋼網設計成L形，使器件能貼合進去；
b：每側鋼網的底面開口大小、側面開口大小均與器件本體的焊接端子大小一一對應；鋼網的開口厚度推薦為0.06-0.1mm，根據實際的QFN器件引線間距進行實際設定；
S3、錫膏印刷：通過鋼網將錫膏印刷在器件的焊接端子上，具體實現方法如下：
a：將左側鋼網和右側鋼網通過控制卡箍實現固定，器件放置在鋼網上，手捏住鋼網的手持部位將鋼網倒置，并使用托盤將器件托住固定；
b：錫膏通過刮刀以合適的角度印刷在器件焊接端子上，將卡箍解開并使用工具夾持器件其它兩面未搪錫位置，將鋼網與錫膏按與貼合面呈135°角度分離，重復上述步驟進行器件另外兩邊的焊接端子錫膏印刷；
S4、回流焊接：將器件倒放置在沒有焊盤的裸PCB板上，使用返修臺自帶的固定裝置固定PCB板，調整設備頂部和底部加熱占比率，將熱電偶固定在QFN器件旁進行溫度實時監測，該返修臺共5個溫區，各個溫區設置溫度不同；
S5、完成元器件引腳除金搪錫。
2.根據權利要求1所述的一種用于QFN封裝器件L形焊接端子除金搪錫的方法，其特征在于：所述的步驟S3的b中合適的角度為45度—60度。
3.根據權利要求1所述的一種用于QFN封裝器件L形焊接端子除金搪錫的方法，其特征在于：所述的步驟S4的加熱占比率分別是以頂部加熱為主，底部加熱為輔設置返修設備，頂部加熱為紅外加熱與熱風對流混合加熱，底部加熱為紅外加熱。
4.根據權利要求1所述的一種用于QFN封裝器件L形焊接端子除金搪錫的方法，其特征在于：所述的步驟S4的各個溫區設置具體如下：
升溫區：60℃-140℃，將溫度上升到錫膏助焊劑活性溫度，將加熱斜率控制在1.0-2.0℃/S，避免加熱速度太快造成器件熱沖擊損傷；
保溫區：140℃-160℃，該區主要是錫膏里助焊劑活化區，去除焊點表面的氧化物，防止焊點再次氧化，加熱時間控制在60-90S；
第二次升溫區：160℃-220℃，快速達到錫膏熔點溫度，將加熱斜率控制在0.8-1.5℃/S；
回流區：保持回流最高溫度220℃，回流時間10-20s，確保錫膏完全融化，達到除金搪錫的效果；
冷卻區：借助壓縮空氣實現降溫。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
