[發(fā)明專利]測量硅拋光片表面銅含量的方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110068156.3
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN112798543A
• 公開（公告）日: 2021-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭體強
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州中欣晶圓半導(dǎo)體股份有限公司
• 主分類號: G01N21/27
• 分類號: G01N21/27
• 代理公司: 杭州融方專利代理事務(wù)所(普通合伙) 33266
• 代理人: 沈相權(quán)

本發(fā)明涉及一種測量硅拋光片表面銅含量的方法，所屬硅拋光片金屬含量檢測技術(shù)領(lǐng)域，包括如下操作步驟：先取兩片在晶棒上處于同一位置相鄰的硅拋光片，確保兩片硅拋光片的體銅含量是一致性，接著使用SPV法測出其中一枚硅拋光片體銅含量，記為B1。再把另一枚硅拋光片放入退火爐在高純氬氣保護(hù)下，在高溫下加熱10～20分鐘，使硅拋光片表面的銅驅(qū)入硅片體內(nèi)。然后再次使用SPV法測出高溫退火后的硅拋光片體銅含量，記為B2。最后利用SPV法測量兩片硅拋光片的體銅含量算式算出硅片表面鐵含量，硅片表面鐵含量=0.5×（B2?B1）×T。具有方法簡單、操作方便、節(jié)能環(huán)保和安全穩(wěn)定性高的優(yōu)點。解決了危險化學(xué)品使用的問題。避免了化學(xué)液的環(huán)保處理過程。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅拋光片金屬含量檢測技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種測量硅拋光片表面銅含量的方法。

背景技術(shù)

現(xiàn)有硅拋光片測量表面銅含量的辦法通常是從硅片表面剝離銅原子，再對剝離出的銅使用ICP-MS或AAS等方法進(jìn)行分析從而計算出表面金屬含量。

ICP-MS是20世紀(jì)80年代發(fā)展起來的無機元素和同位素分析測試技術(shù)，它以獨特的接口技術(shù)將電感耦合等離子體的高溫電離特性與質(zhì)譜計的靈敏快速掃描的優(yōu)點相結(jié)合而形成一種高靈敏度的分析技術(shù)。

AAS即原子吸收光譜法，又稱原子分光光度法，是基于待測元素的基態(tài)原子蒸汽對其特征譜線的吸收，由特征譜線的特征性和譜線被減弱的程度對待測元素進(jìn)行定性定量分析的一種儀器分析的方法。

存在如下缺陷：

（1）這些方法都需要一定的化學(xué)液作為耗材，如氫氟酸和雙氧水等,測量成本較高。

（2）使用的化學(xué)液為危險化學(xué)品，必須經(jīng)過環(huán)保處理才可排放。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決現(xiàn)有技術(shù)中存在消耗化學(xué)液、污染嚴(yán)重和安全隱患大的不足，提供了一種測量硅拋光片表面銅含量的方法，其具有方法簡單、操作方便、節(jié)能環(huán)保和安全穩(wěn)定性高的優(yōu)點。解決了危險化學(xué)品使用的問題。避免了化學(xué)液的環(huán)保處理過程。

本發(fā)明的上述技術(shù)問題主要是通過下述技術(shù)方案得以解決的：

一種測量硅拋光片表面銅含量的方法，包括如下操作步驟：

第一步：取兩片在晶棒上處于同一位置相鄰的硅拋光片，確保兩片硅拋光片的體銅含量是一致性，接著使用SPV法測出其中一枚硅拋光片體銅含量，記為 B1。

第二步：把另一枚硅拋光片放入退火爐在高純氬氣保護(hù)下，在高溫下加熱10～20分鐘，使硅拋光片表面的銅驅(qū)入硅片體內(nèi)。

第三步：再次使用SPV法測出高溫退火后的硅拋光片體銅含量，記為B2。

第四步：利用SPV法測量兩片硅拋光片的體銅含量算式算出硅片表面鐵含量，硅片表面鐵含量= 0.5×（B2-B1）×T。

作為優(yōu)選，T為硅片平均厚度，單位使用了厘米。

作為優(yōu)選，B1為第一枚未經(jīng)高溫處理的硅拋光片體銅含量，單位使用atoms/cm^3。

作為優(yōu)選，B2為第二枚高溫處理后的硅拋光片體銅含量，單位使用atoms/cm^3。

作為優(yōu)選，硅拋光片放入退火爐中，溫度為900攝氏度～1100攝氏度。

本發(fā)明能夠達(dá)到如下效果：

本發(fā)明提供了一種測量硅拋光片表面銅含量的方法，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有方法簡單、操作方便、節(jié)能環(huán)保和安全穩(wěn)定性高的優(yōu)點。解決了危險化學(xué)品使用的問題。避免了化學(xué)液的環(huán)保處理過程。

具體實施方式

下面通過實施例，對發(fā)明的技術(shù)方案作進(jìn)一步具體的說明。

實施例：一種測量硅拋光片表面銅含量的方法，包括如下操作步驟：