[發明專利]測量硅拋光片表面銅含量的方法在審
| 申請號： | 202110068156.3 | 申請日： | 2021-01-19 |
| 公開（公告）號： | CN112798543A | 公開（公告）日： | 2021-05-14 |
| 發明（設計）人： | 郭體強 | 申請（專利權）人： | 杭州中欣晶圓半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/27 | 分類號： | G01N21/27 |
| 代理公司： | 杭州融方專利代理事務所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相權 |
| 地址： | 311201 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測量 拋光 表面 含量 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種測量硅拋光片表面銅含量的方法，其特征在于包括如下操作步驟：
第一步：取兩片在晶棒上處于同一位置相鄰的硅拋光片，確保兩片硅拋光片的體銅含量是一致性，接著使用SPV法測出其中一枚硅拋光片體銅含量，記為 B1；
第二步：把另一枚硅拋光片放入退火爐在高純氬氣保護下，在高溫下加熱10～20分鐘，使硅拋光片表面的銅驅入硅片體內；
第三步：再次使用SPV法測出高溫退火后的硅拋光片體銅含量，記為B2；
第四步：利用SPV法測量兩片硅拋光片的體銅含量算式算出硅片表面鐵含量，硅片表面鐵含量= 0.5×（B2-B1）×T。
2.根據權利要求1所述的測量硅拋光片表面銅含量的方法，其特征在于：T為硅片平均厚度，單位使用了厘米。
3.根據權利要求1所述的測量硅拋光片表面銅含量的方法，其特征在于：B1為第一枚未經高溫處理的硅拋光片體銅含量，單位使用atoms/cm^3。
4.根據權利要求1所述的測量硅拋光片表面銅含量的方法，其特征在于：B2為第二枚高溫處理后的硅拋光片體銅含量，單位使用atoms/cm^3。
5.根據權利要求1所述的測量硅拋光片表面銅含量的方法，其特征在于：硅拋光片放入退火爐中，溫度為900攝氏度～1100攝氏度。
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