[發明專利]定向耦合器、處理基片的裝置和處理基片的方法有效
| 申請號: | 202110067295.4 | 申請日: | 2021-01-19 |
| 公開(公告)號: | CN113193324B | 公開(公告)日: | 2022-05-31 |
| 發明(設計)人: | 高橋勛;宮下大幸;長田勇輝;井上三也;蘆田光利 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01P5/18 | 分類號: | H01P5/18;H05H1/46 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 龍淳;劉芃茜 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 定向耦合器 處理 裝置 方法 | ||
本發明提供定向耦合器、處理基片的裝置和處理基片的方法,能夠使作為副線路的耦合線路與作為定向耦合器的主線路的中心導體疏耦合,并且得到良好的定向特性。在定向耦合器中,中空同軸線路包括構成主線路的中心導體和以包圍中心導體的周圍的方式設置的形成有開口部的外部導體,電介質基片以覆蓋開口部的方式設置,并設置有接地的膜狀的接地導體,該接地導體分別覆蓋隔著上述開口部與上述中心導體相對的背面側和與上述背面側相反的正面側。耦合線路是設置于由上述背面側的上述接地導體包圍的區域內設置的副線路。并且,在正面側的上述接地導體,設置有將隔著上述電介質基片與上述耦合線路相對的區域內的導體膜的一部分去除而得的導體去除部。
技術領域
本發明涉及定向耦合器、處理基片的裝置和處理基片的方法。
背景技術
使用等離子體化的處理氣體對基片進行成膜處理、蝕刻處理的裝置中,有時對處理氣體供給作為高頻功率的微波,將該處理氣體等離子體化。
為了正確地檢測對處理氣體的微波的功率水平,使用定向耦合器,該定向耦合器避免在微波的供給路徑內產生的反射波的影響并取出該微波的行波的一部分。
專利文獻1中記載了一種定向耦合器,其在由中心導體和外部導體構成的同軸線路的外部導體設置窗部,以覆蓋該窗部的方式配置耦合線路用基片,使設置于該耦合線路基片的耦合線路與同軸線路電磁耦合,從耦合線路取出高頻信號。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開2003-32013號公報
發明內容
發明要解決的技術問題
本發明提供一種使定向耦合器的作為副線路的耦合線路與作為主線路的中心導體疏耦合,并且得到良好的定向特性的技術。
用于解決技術問題的技術方案
本發明的一個方式的定向耦合器是將流過主線路的高頻功率的一部分通過與上述主線路電磁耦合的副線路取出的定向耦合器,其包括:
與上述高頻功率的輸入端子和輸出端子連接的中空同軸線路,其具有構成上述主線路的中心導體和以包圍上述中心導體的周圍的方式設置的形成有開口部的外部導體;
電介質基片,其以覆蓋上述開口部的方式設置,并設置有接地的膜狀的接地導體,上述接地導體分別覆蓋隔著上述開口部與上述中心導體相對的背面側和與上述背面側相反的正面側;以及
與取出上述高頻功率的一部分的取出端子連接的耦合線路,其是在上述電介質基片的上述背面側,隔著上述開口部設置在與上述中心導體相對的位置,在由上述背面側的上述接地導體包圍的區域內,以不與上述接地導體電導通的方式形成的上述副線路,
在上述正面側的上述接地導體,設置有將隔著上述電介質基片與上述耦合線路相對的區域內的導體膜的一部分去除而得的導體去除部。
發明效果
依照本發明,能夠使定向耦合器的作為副線路的耦合線路與作為主線路的中心導體疏耦合,并且得到良好的定向特性。
附圖說明
圖1是設置有本發明的定向耦合器的等離子體處理裝置的縱截面圖。
圖2是微波導入單元的結構圖。
圖3是設置有定向耦合器的天線單元的框圖。
圖4是普通的定向耦合器的示意圖。
圖5是本發明的定向耦合器的分解立體圖。
圖6是定向耦合器的第一縱截面圖。
圖7是定向耦合器的第二縱截面圖。
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