[發明專利]定向耦合器、處理基片的裝置和處理基片的方法

有效

• 申請號: 202110067295.4
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN113193324B
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 高橋勛;宮下大幸;長田勇輝;井上三也;蘆田光利
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01P5/18
• 分類號: H01P5/18;H05H1/46
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種定向耦合器，其將流過主線路的高頻功率的一部分通過與所述主線路電磁耦合的副線路取出，所述定向耦合器的特征在于，包括：

與所述高頻功率的輸入端子和輸出端子連接的中空同軸線路，其具有構成所述主線路的中心導體和以包圍所述中心導體的周圍的方式設置的形成有開口部的外部導體；

電介質基片，其以覆蓋所述開口部的方式設置，并設置有接地的膜狀的接地導體，所述接地導體分別覆蓋隔著所述開口部與所述中心導體相對的背面側和與所述背面側相反的正面側；以及

與取出所述高頻功率的一部分的取出端子連接的耦合線路，其是在所述電介質基片的所述背面側，隔著所述開口部設置在與所述中心導體相對的位置，在由所述背面側的所述接地導體包圍的區域內，以不與所述接地導體電導通的方式形成的所述副線路，

在所述正面側的所述接地導體，設置有將隔著所述電介質基片與所述耦合線路相對的區域內的導體膜的一部分去除而得的導體去除部。

2.如權利要求1所述的定向耦合器，其特征在于：

所述開口部是以包含整個所述耦合線路的方式形成為圓形的圓形開口部。

3.如權利要求1或2所述的定向耦合器，其特征在于：

在所述外部導體與所述電介質基片之間，設置有用于調節所述中心導體與所述耦合線路之間的距離的間隔件，在所述間隔件也形成有所述開口部。

4.如權利要求1或2所述的定向耦合器，其特征在于：

所述正面側的所述接地導體和所述背面側的所述接地導體經由形成于所述電介質基片的通孔彼此電連接。

5.如權利要求1或2所述的定向耦合器，其特征在于：

所述中心導體由棒狀的導體構成，所述耦合線路由沿所述電介質基片的所述背面形成的細長的導體膜構成，

從沿所述電介質基片的面的方向觀察時，使所述棒狀的導體延伸的方向與所述細長的導體膜延伸的方向一致地配置，從與所述電介質基片的面相對的方向觀察時，所述棒狀的導體延伸的方向與所述細長的導體膜延伸的方向交叉地配置。

6.如權利要求5所述的定向耦合器，其特征在于：

所述耦合線路以所述棒狀的導體延伸的方向與所述細長的導體膜延伸的方向所成的角度成為預定的交叉角度的方式形成。

7.如權利要求6所述的定向耦合器，其特征在于：

包括角度調節機構，其通過使從與所述電介質基片的面相對的方向觀察到的、該電介質基片相對于所述中空同軸線路的安裝方向變化，來改變所述交叉角度。

8.如權利要求1所述的定向耦合器，其特征在于：

所述取出端子與形成于所述電介質基片的所述正面側的取出線路的一端側連接，所述取出線路的另一端側經由形成于所述電介質基片的通孔連接到所述耦合線路。

9.如權利要求8所述的定向耦合器，其特征在于：

所述取出線路在設置于該取出線路的兩側區域的所述正面側的所述接地導體與所述背面側的所述接地導體之間構成接地共面線路。

10.如權利要求8所述的定向耦合器，其特征在于：

所述取出線路的兩側區域中的所述正面側的所述接地導體以該取出線路與所述接地導體之間成為所述電介質基片的厚度以上的隔開區域的方式被去除，在所述取出線路與所述背面側的所述接地導體之間構成微帶線路。

11.如權利要求8至10中任一項所述的定向耦合器，其特征在于：

在所述取出線路設置有從下述元件組選擇的至少一個元件，所述元件組包括：抑制所述高頻功率的一部分中包含的高頻成分的低通濾波器；抑制所述高頻功率的一部分中包含的低頻成分的高通濾波器；和使來自所述取出端子側的反射波衰減的衰減器。