[發明專利]包括層疊的半導體芯片的半導體封裝

在審

• 申請號: 202110067203.2
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN113990828A
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發明（設計）人: 嚴柱日;李承燁
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/31;H01L25/18
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體封裝，該半導體封裝包括：

基板；

設置在所述基板上方的子半導體封裝，該子半導體封裝包括子半導體芯片、子模制層和重分布導電層，在所述子半導體芯片的面向所述基板的有效表面上具有芯片焊盤，所述子模制層圍繞所述子半導體芯片的側表面，所述子模制層具有面向所述基板的表面，所述重分布導電層連接到所述芯片焊盤并且在所述子模制層的所述表面下方延伸，其中，所述重分布導電層包括信號重分布導電層和電源重分布導電層，所述信號重分布導電層朝著所述子模制層的邊緣延伸，所述信號重分布導電層在其端部具有信號重分布焊盤，所述電源重分布導電層的長度比所述信號重分布導電層的長度短，所述電源重分布導電層在其端部具有電源重分布焊盤；

信號子互連器，該信號子互連器具有連接到所述信號重分布焊盤的上表面以及連接到所述基板的下表面；

電源子互連器，該電源子互連器具有連接到所述電源重分布焊盤的上表面以及連接到所述基板的下表面；以及

至少一個主半導體芯片，所述至少一個主半導體芯片形成在所述子半導體封裝上方并且電連接到所述基板。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，經過所述電源重分布導電層、所述電源子互連器和所述基板的供電路徑比經過所述信號重分布導電層、所述信號子互連器和所述基板的信號傳輸路徑短。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述信號子互連器和所述電源子互連器中的每一個包括焊球、金屬凸塊或其組合。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述信號重分布導電層從所述子半導體芯片的邊緣的一部分向外延伸，并且

所述電源重分布導電層從所述子半導體芯片的所述邊緣的另一部分向內延伸。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝，該半導體封裝還包括：

將所述主半導體芯片連接到所述基板的主互連器，

其中，所述信號子互連器包括在所述主半導體芯片與所述子半導體芯片之間交換信號的內部信號子互連器，

其中，所述主互連器包括在所述主半導體芯片與所述子半導體芯片之間交換所述信號的信號主互連器，

其中，所述基板包括連接到所述內部信號子互連器的內部信號子基板焊盤以及連接到所述信號主互連器的信號主基板焊盤，并且

其中，所述內部信號子基板焊盤和所述信號主基板焊盤通過形成在所述基板中的連接線彼此連接。

6.根據權利要求1所述的半導體封裝，該半導體封裝還包括：

主互連器，所述主互連器將所述主半導體芯片連接到所述基板，并且

其中，所述主互連器包括接合引線。

7.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中，所述芯片焊盤沿著所述子半導體芯片在第一方向上的第一側邊緣和第二側邊緣并且沿著所述子半導體芯片在第二方向上的第三側邊緣和第四側邊緣設置，所述第二方向垂直于所述第一方向，

其中，所述信號重分布焊盤包括設置在所述子模制層在所述第一方向上的第一側邊緣和第二側邊緣處的多個信號重分布焊盤，

其中，所述信號重分布導電層包括多個信號重分布導電層，

其中，連接到設置在所述子半導體芯片的所述第一側邊緣和所述第三側邊緣處的所述芯片焊盤的所述信號重分布導電層朝著設置在所述子模制層的所述第一側邊緣處的所述信號重分布焊盤延伸，并且

其中，連接到設置在所述子半導體芯片的所述第二側邊緣和所述第四側邊緣處的所述芯片焊盤的所述信號重分布導電層朝著設置在所述子模制層的所述第二側邊緣處的所述信號重分布焊盤延伸。

8.根據權利要求7所述的半導體封裝，其中，所述信號重分布導電層具有以所述子半導體芯片為中心的螺旋形狀。