[發明專利]蝕刻方法、基片處理裝置和基片處理系統

在審

• 申請號: 202110067030.4
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN113192831A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 笹川大成;戶村幕樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/308;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

本發明提供蝕刻方法、基片處理裝置和基片處理系統，能夠相對于掩模的蝕刻提高基片內的區域的蝕刻的選擇性，提高在該區域形成的開口的垂直性。例示的實施方式蝕刻方法包括在基片的表面上形成膜的步驟?；哂兄辽俨糠值赜裳趸栊纬傻膮^域和掩模。掩模形成于基片的區域上，并提供使該區域部分地露出的開口。膜由與基片的區域的材料相同種類的材料形成。膜以能夠將規定開口的側壁面的形狀修正為垂直的形狀的方式形成。蝕刻方法還包括對基片的區域進行蝕刻的步驟。

技術領域

本發明例示的實施方式涉及蝕刻方法、基片處理裝置和基片處理系統。

背景技術

為了在基片內的膜形成開口，能夠使用等離子體蝕刻。專利文獻1公開了硅氧化物膜的等離子體蝕刻。硅氧化物膜用來自由碳氟化合物氣體形成的等離子體的化學種進行蝕刻。在硅氧化物膜的蝕刻中，碳氟化合物在規定開口的側壁面上沉積，抑制硅氧化物膜的橫向上的蝕刻。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2019-050305號公報

發明內容

發明要解決的技術問題

本發明提供相對于掩模的蝕刻提高基片內的區域的蝕刻的選擇性，提高在該區域形成的開口的垂直性的技術。

用于解決技術問題的技術方案

在一個例示的實施方式中，提供一種蝕刻方法。蝕刻方法包括在基片的表面上形成膜的步驟。基片具有至少部分地由氧化硅形成的區域和掩模。掩模形成于基片的區域上，并提供使該區域部分地露出的開口。膜由與基片的區域的材料相同種類的材料形成。蝕刻方法還包括對基片的區域進行蝕刻的步驟。膜修正掩模的形狀，使得在對區域進行蝕刻的步驟中提高在該區域形成的開口的垂直性。

發明效果

依照一個例示的實施方式，能夠相對于掩模的蝕刻提高基片內的區域的蝕刻的選擇性，提高在該區域形成的開口的垂直性。

附圖說明

圖1是一個例示的實施方式的蝕刻方法的流程圖。

圖2是一個例子的基片的局部放大截面圖。

圖3是概要地表示一個例示的實施方式的基片處理裝置的圖。

圖4是一個例示的實施方式的基片處理裝置中的靜電吸盤的放大截面圖。

圖5是在一個例示的實施方式的蝕刻方法中能夠使用的成膜方法的流程圖。

圖6的(a)是形成了前體層后的狀態下的一個例子的基片的局部放大截面圖。圖6的(b)是形成了膜PF后的狀態下的一個例子的基片的局部放大截面圖。

圖7的(a)是用于說明圖1所示蝕刻方法的步驟ST2的例子的圖，圖7的(b)是執行了步驟ST2后的狀態下的一個例子的基片的局部放大截面圖。

圖8是表示一個例示的實施方式的基片處理系統的圖。

附圖標記說明

1……等離子體處理裝置；10……腔室；16……基片支承器；GS……氣體供給部；80……控制部；W……基片；RE……區域；MK……掩模。

具體實施方式

下面，對各種例示的實施方式進行說明。

在一個例示的實施方式中，提供一種蝕刻方法。蝕刻方法包括在基片的表面上形成膜的步驟?；哂兄辽俨糠值赜裳趸栊纬傻膮^域和掩模。掩模形成于基片的區域上，并提供使該區域部分地露出的開口。膜由與基片的區域的材料相同種類的材料形成。蝕刻方法還包括對基片的區域進行蝕刻的步驟。膜修正掩模的形狀，使得在對區域進行蝕刻的步驟中提高在該區域形成的開口的垂直性。