[發明專利]蝕刻方法、基片處理裝置和基片處理系統

在審

• 申請號: 202110067030.4
• 申請日: 2021-01-19
• 公開（公告）號: CN113192831A
• 公開（公告）日: 2021-07-30
• 發明（設計）人: 笹川大成;戶村幕樹
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H01L21/308;H01J37/32
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;劉芃茜

1.一種蝕刻方法，其特征在于，包括：

在基片的表面上形成膜的步驟，該基片具有至少部分地由氧化硅形成的區域和掩模，該掩模設置于所述區域上并提供使該區域部分地露出的開口，該膜由與所述區域的材料相同種類的材料形成；和

蝕刻所述區域的步驟，

所述膜修正所述掩模的形狀使得在蝕刻所述區域的所述步驟中提高在所述區域形成的開口的垂直性。

2.如權利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述膜以從所述基片的上端起沿所述開口的深度方向而其厚度減少的方式形成。

3.如權利要求1或2所述的蝕刻方法，其特征在于：

交替地反復進行形成膜的所述步驟和蝕刻所述區域的所述步驟。

4.如權利要求1～3中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

形成膜的所述步驟包括：

通過將第一氣體供給到基片而在所述基片上形成前體層的步驟；和

通過將第二氣體供給到所述前體層而由所述前體層形成所述膜的步驟。

5.如權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述區域包含硅氧化物膜。

6.如權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述區域包含交替地層疊的一個以上的硅氧化物膜和一個以上的硅氮化物膜。

7.如權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述區域包含交替地層疊的一個以上的硅氧化物膜和一個以上的多晶硅膜。

8.如權利要求1～4中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述區域包含層疊的一個以上的硅氧化物膜、一個以上的硅氮化物膜和一個以上的多晶硅膜。

9.如權利要求1～8中任一項所述的蝕刻方法，其特征在于：

所述掩模由硅、含碳材料或者含金屬材料形成。

10.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

腔室；

能夠對所述腔室內供給氣體的氣體供給部；和

能夠控制所述氣體供給部的控制部，

所述控制部控制所述氣體供給部來對所述腔室內供給氣體，以使得在具有至少部分地由氧化硅形成的區域和掩模的基片上形成與該區域的材料相同種類的材料的膜，該膜通過修正該掩模的形狀而能夠提高通過蝕刻在該區域形成的開口的垂直性，

所述控制部控制所述氣體供給部來對所述腔室內供給氣體，以蝕刻所述區域。

11.一種基片處理系統，其特征在于，包括：

成膜裝置，其能夠在具有至少部分地由氧化硅形成的區域和掩模的基片上形成與該區域的材料相同種類的材料的膜，該膜通過修正該掩模的形狀而能夠提高通過蝕刻在該區域形成的開口的垂直性；和

能夠蝕刻所述區域的基片處理裝置。