[發明專利]一種塑封封裝結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202110064612.7
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN112908947A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 徐成;曹立強;孫鵬;耿菲
• 申請（專利權）人: 上海先方半導體有限公司;華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 上海智晟知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張瑞瑩;張東梅

本發明公開一種塑封封裝結構，包括轉接板，貼裝于轉接板上的芯片，包覆芯片的第二塑封層，以及包覆轉接板上凸點的第一塑封層，轉接板上設置有硅通孔，其第一表面及第二表面分別設置有與硅通孔電連接的外接焊球和/或外接焊盤。該封裝結構的制作過程包括：采用鍵合的方式完成轉接板第二表面工藝后，通過第一塑封層包覆載板及轉接板，形成塑封晶圓，然后進行切割、去鍵合、貼片等后續工藝，完成封裝。

技術領域

本發明涉及半導體技術領域，特別涉及一種塑封封裝結構及其制造方法。

背景技術

隨著半導體技術的發展，集成電路尺寸持續減小，人們對于集成電路的封裝要求越來越高。

隨著芯片的厚度的減小，在封裝過程中，對于晶圓的研磨量則越來越大，這就使得晶圓自身硬度降低的同時，應力卻更大，使得晶圓的翹曲越來越嚴重。翹曲會給芯片制造帶來碎片、劃傷等風險，甚至可能導致參數漂移。

因此，有效地控制晶圓翹曲有助于提高封裝的可靠性。

發明內容

針對現有技術中的部分或全部問題，本發明一方面提供一種塑封封裝結構，包括：

轉接板，包括硅通孔，所述轉接板的第一表面及第二表面分別設置有與所述硅通孔電連接的外接焊球和/或外接焊盤；

芯片，貼裝至所述轉接板的第一表面；

第一塑封層，其包覆所述芯片，但露出所述芯片的第一表面；以及

第二塑封層，其包覆所述轉接板的第二表面，但露出所述外接焊球。

進一步地，所述轉接板的第二表面包括第二重布線層，其與所述硅通孔電連接，且所述第二重布線層上包括外接焊球。

進一步地，所述轉接板的第一表面包括第一重布線層，其與所述硅通孔電連接，所述芯片電連接至所述第一重布線層。

進一步地，所述芯片包括多個相同、同類或不同的芯片。

進一步地，所述芯片與所述第一重布線層之間設置有底層填充料。

本發明另一方面提供所述塑封封裝結構的制造方法包括：

在硅片的第一表面形成硅通孔以及第一重布線層，得到初始轉接板；

在所述初始轉接板的第一表面鍵合載板；

在所述初始轉接板的第二表面形成第二重布線層；

形成第一塑封層，包覆所述初始轉接板及載板，得到塑封晶圓；

切割所述塑封晶圓的邊沿，并去除載板；

芯片貼片；

形成第二塑封層，包覆所述芯片；

減薄所述第二塑封層；

減薄所述第一塑封層；以及

切割封裝結構的邊緣。

進一步地，所述制造方法還包括，在所述第二重布線層的外接焊盤上形成外接焊球。

進一步地，所述減薄所述第一塑封層包括：

通過研磨減薄所述第一塑封層，露出所述外接焊球；以及

通過干法刻蝕或濕法腐蝕工藝，進一步地減薄外接焊球空隙內的第一塑封層，使得所述外接焊球完全露出。

進一步地，所述減薄所述第一塑封層包括：

通過研磨減薄所述第一塑封層，露出所述第二重布線層的外接焊盤；以及

在所述外界焊盤上形成外接焊球。