[發(fā)明專利]一種塑封封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110064612.7
• 申請(qǐng)日: 2021-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN112908947A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐成;曹立強(qiáng);孫鵬;耿菲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海先方半導(dǎo)體有限公司;華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L21/56;H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 上海智晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31313
• 代理人: 張瑞瑩;張東梅

1.一種塑封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

轉(zhuǎn)接板，其包括硅通孔，所述轉(zhuǎn)接板的第一表面及第二表面分別設(shè)置有與所述硅通孔電連接的外接焊球和/或外接焊盤；

芯片，貼裝至所述轉(zhuǎn)接板的第一表面；

第一塑封層，其包覆所述芯片，但露出所述芯片的第一表面；以及

第二塑封層，其包覆所述轉(zhuǎn)接板的第二表面，但露出所述外接焊球。

2.如權(quán)利要求1所述的塑封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接板的第二表面包括第二重布線層，其與所述硅通孔電連接，且所述第二重布線層上包括外接焊球。

3.如權(quán)利要求1所述的塑封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述轉(zhuǎn)接板的第一表面包括第一重布線層，其與所述硅通孔電連接，所述芯片電連接至所述第一重布線層。

4.如權(quán)利要求1所述的塑封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片包括多個(gè)相同、同類或不同的芯片。

5.如權(quán)利要求1所述的塑封封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯片與所述第一重布線層之間設(shè)置有底層填充料。

6.一種塑封封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括步驟：

在硅片的第一表面形成硅通孔以及第一重布線層，得到初始轉(zhuǎn)接板；

在所述初始轉(zhuǎn)接板的第一表面鍵合載板；

在所述初始轉(zhuǎn)接板的第二表面形成第二重布線層；

形成第一塑封層，包覆所述初始轉(zhuǎn)接板及載板，得到塑封晶圓；

切割所述塑封晶圓的邊沿，并去除載板；

芯片貼片；

形成第二塑封層，包覆所述芯片；

減薄所述第二塑封層；

減薄所述第一塑封層；以及

切割封裝結(jié)構(gòu)的邊緣。

7.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，還包括，在所述第二重布線層的外接焊盤上形成外接焊球。

8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述減薄所述第一塑封層包括：

通過(guò)研磨減薄所述第一塑封層，露出所述外接焊球；以及

通過(guò)干法刻蝕或濕法腐蝕工藝，進(jìn)一步地減薄外接焊球空隙內(nèi)的第一塑封層，使得所述外接焊球完全露出。

9.如權(quán)利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述減薄所述第一塑封層包括：

通過(guò)研磨減薄所述第一塑封層，露出所述第二重布線層的外接焊盤；以及

在所述外界焊盤上形成外接焊球。