[發明專利]一種鎖相環及相關裝置

在審

• 申請號: 202110064411.7
• 申請日: 2021-01-18
• 公開（公告）號: CN112910460A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發明（設計）人: 張亞南;邰連梁;張永領;季翔宇;陳余;衛海燕;付家喜
• 申請（專利權）人: 龍迅半導體（合肥）股份有限公司
• 主分類號: H03L7/08
• 分類號: H03L7/08;H03L7/18
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

本申請公開了一種鎖相環，該鎖相環通過鎖相環中的比較器判斷控制電壓的大小，調節偏置電壓產生器從而降低控制電壓。當控制電壓大于參考電壓時，通過偏置電壓產生器放大壓控振蕩器產生的振蕩頻率，從而使得偏置電壓產生器需要的控制電壓變小，進而使得電荷泵中的電源流晶體管工作在線性度較好的區域。如此，本申請提供的方法因為電源流晶體管工作在線性度較好的區域，所以電荷泵產生的電流的精度較高，從而提高了鎖相環的性能。

技術領域

本申請涉及電子器件領域，尤其涉及一種鎖相環及相關裝置。

背景技術

隨著電子器件的發展，鎖相環中的壓控振蕩器產生的振蕩頻率越來越高。由于壓控振蕩器產生的振蕩頻率與輸入偏置電壓產生器的控制電壓的大小成正相關，因此，偏置電壓產生器的控制電壓也越來越大。但，過高的控制電壓會導致鎖相環中輸出控制電壓的電荷泵中的電流源晶體管工作在線性度較差的區域，從而導致電荷泵產生的電流的精度較低，進而影響整個鎖相環的性能。

發明內容

為了解決上述技術問題，本申請提供了一種鎖相環及相關裝置，用于通過判斷控制電壓的大小，調節偏置電壓產生器運行的模式，從而降低控制電壓。

為了實現上述目的，本申請實施例提供的技術方案如下：

本申請實施例提供一種鎖相環，包括：鑒頻鑒相器、電荷泵、低通濾波器、比較器、偏置電壓產生器、壓控振蕩器和除法器；

所述鑒頻鑒相器與所述電荷泵連接，所述電荷泵與所述低通濾波器連接，所述低通濾波器與所述比較器的第一輸入端連接，所述比較器的第二輸入端連接參考電壓，所述比較器的輸出端連接所述偏置電壓產生器的第一端，所述濾波器連接所述偏置電壓產生器的第二端，所述偏置電壓產生器與所述壓控振蕩器連接，所述壓控振蕩器與所述除法器連接，所述除法器與所述鑒頻鑒相器連接；

所述比較器，用于當所述第一輸入端接收的控制電壓大于所述第二輸入端接收的參考電壓時，通過所述偏置電壓產生器來提高所述壓控振蕩器產生的振蕩頻率。

可選地，所述比較器具體用于當所述控制電壓大于所述參考電壓時，比較器輸出高電平至所述偏置電壓產生器，以使所述偏置電壓產生器放大所述壓控振蕩器產生的振蕩頻率。

可選地，所述比較器的第二輸入端連接恒壓源，所述恒壓源用于提供所述參考電壓。

可選地，所述壓控振蕩器包括：PMOS管和NMOS管；

所述偏置電壓產生器的信號輸入端與所述比較器的輸出端連接，所述偏置電壓產生器的電壓輸入端與所述低通濾波器連接，所述偏置電壓產生器的第一輸出端與所述壓控振蕩器的PMOS管連接；所述偏置電壓產生器的第二輸出端與所述壓控振蕩器的NMOS管連接；

所述偏置電壓產生器，用于根據所述控制電壓調控所述壓控振蕩器產生的振蕩頻率；且當所述信號輸入端輸入的信號為高電平時，降低所述第一輸出端輸出的電壓，提高所述第二輸出端輸出的電壓，以使所述壓控振蕩器產生的振蕩頻率變大。

可選地，所述偏置電壓產生器包括：第一開關、第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管與偏置電壓連接；所述第二PMOS管通過所述第一開關與所述偏置電壓連接；

所述第一開關，用于當所述比較器的輸出端輸出的信號為高電平時閉合。

可選地，所述第一開關，還用于當所述比較器的輸出端輸出的信號為低電平時斷開。

可選地，所述比較器還用于：

當所述控制電壓小于所述參考電壓時，發送低電平至所述偏置電壓產生器，以使所述偏置電壓產生器不提高所述壓控振蕩器產生的振蕩頻率。

可選地，所述壓控振蕩器，用于根據所述偏置電壓產生器輸出的電壓產生振蕩頻率。