[發(fā)明專利]一種鎖相環(huán)及相關(guān)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110064411.7
• 申請(qǐng)日: 2021-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN112910460A
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張亞南;邰連梁;張永領(lǐng);季翔宇;陳余;衛(wèi)海燕;付家喜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 龍迅半導(dǎo)體（合肥）股份有限公司
• 主分類號(hào): H03L7/08
• 分類號(hào): H03L7/08;H03L7/18
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 柳虹

1.一種鎖相環(huán)，其特征在于，包括：鑒頻鑒相器、電荷泵、低通濾波器、比較器、偏置電壓產(chǎn)生器、壓控振蕩器和除法器；

所述鑒頻鑒相器與所述電荷泵連接，所述電荷泵與所述低通濾波器連接，所述低通濾波器與所述比較器的第一輸入端連接，所述比較器的第二輸入端連接參考電壓，所述比較器的輸出端連接所述偏置電壓產(chǎn)生器的第一端，所述濾波器連接所述偏置電壓產(chǎn)生器的第二端，所述偏置電壓產(chǎn)生器與所述壓控振蕩器連接，所述壓控振蕩器與所述除法器連接，所述除法器與所述鑒頻鑒相器連接；

所述比較器，用于當(dāng)所述第一輸入端接收的控制電壓大于所述第二輸入端接收的參考電壓時(shí)，通過所述偏置電壓產(chǎn)生器來(lái)提高所述壓控振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖相環(huán)，其特征在于，所述比較器具體用于當(dāng)所述控制電壓大于所述參考電壓時(shí)，比較器輸出高電平至所述偏置電壓產(chǎn)生器，以使所述偏置電壓產(chǎn)生器放大所述壓控振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的鎖相環(huán)，其特征在于，所述比較器的第二輸入端連接恒壓源，所述恒壓源用于提供所述參考電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的鎖相環(huán)，其特征在于，所述壓控振蕩器包括：PMOS管和NMOS管；

所述偏置電壓產(chǎn)生器的信號(hào)輸入端與所述比較器的輸出端連接，所述偏置電壓產(chǎn)生器的電壓輸入端與所述低通濾波器連接，所述偏置電壓產(chǎn)生器的第一輸出端與所述壓控振蕩器的PMOS管連接；所述偏置電壓產(chǎn)生器的第二輸出端與所述壓控振蕩器的NMOS管連接；

所述偏置電壓產(chǎn)生器，用于根據(jù)所述控制電壓調(diào)控所述壓控振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率；且當(dāng)所述信號(hào)輸入端輸入的信號(hào)為高電平時(shí)，降低所述第一輸出端輸出的電壓，提高所述第二輸出端輸出的電壓，以使所述壓控振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率變大。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鎖相環(huán)，其特征在于，所述偏置電壓產(chǎn)生器包括：第一開關(guān)、第一PMOS管和第二PMOS管；所述第一PMOS管與偏置電壓連接；所述第二PMOS管通過所述第一開關(guān)與所述偏置電壓連接；

所述第一開關(guān)，用于當(dāng)所述比較器的輸出端輸出的信號(hào)為高電平時(shí)閉合。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鎖相環(huán)，其特征在于，所述第一開關(guān)，還用于當(dāng)所述比較器的輸出端輸出的信號(hào)為低電平時(shí)斷開。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖相環(huán)，其特征在于，所述比較器還用于：

當(dāng)所述控制電壓小于所述參考電壓時(shí)，發(fā)送低電平至所述偏置電壓產(chǎn)生器，以使所述偏置電壓產(chǎn)生器不提高所述壓控振蕩器產(chǎn)生的振蕩頻率。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的鎖相環(huán)，其特征在于，所述壓控振蕩器，用于根據(jù)所述偏置電壓產(chǎn)生器輸出的電壓產(chǎn)生振蕩頻率。

9.一種接收機(jī)，其特征在于，所述接收機(jī)包括權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的鎖相環(huán)；所述接收機(jī)用于接收通信信號(hào)。

10.一種時(shí)鐘裝置，其特征在于，所述時(shí)鐘裝置包括權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的鎖相環(huán)；所述時(shí)鐘裝置用于產(chǎn)生時(shí)鐘倍頻率。